12月上旬合约价DRAM持平Flash下跌
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12月上旬的存储器合约价格中,DRAM合约价意外持平开出,南亚科副总经理白培霖表示,主要是个人计算机(PC)厂急单涌入之故;而NANDFlash合约价格则反应市场需求不佳,16Gb芯片价格下滑5~10%,32Gb芯片下跌2~6%,目前合约价格贴近现货价格水平,下游存储器业者都尽量减少库存水位,以免营运被跌价的NANDFlash芯片库存烫伤。
近期DRAM现货价格持续反弹,1Gb容量DDR2价格从2美元反弹至2。5美元,属于触底反弹,然整个市场的交易量是相当有限,反倒是原本各界预期12月上旬会开始跌价的DRAM合约价,则是意外持平开出,白培霖表示,部分PC厂的急单涌入,要求在月中前出货,使得原本预计会小跌的合约价反而持平。
日前力晶虽然大幅增加产能,但主要产能都让大型模块厂预订光,因此价格可暂稳,对于2010年市场展望,日系大厂尔必达(Elpida)社长坂本幸雄也释出乐观讯息,认为2010年会供不应求。
相较于DRAM现货价和合约价表现优于预期,NANDFlash合约价则是出现大跌,也算是反应现货价。8Gb芯片合约价跌幅最大,达10~15%,16Gb芯片价格则下滑5~10%,32Gb和64Gb芯片由于供给较少,因此跌幅不重。
现阶段NANDFlash产品需求仍旧是相当低迷,加上大客户苹果(Apple)也进入拉货淡季,因此价格持续下跌,原本最热门且缺货的小型记忆卡microSD需求也转淡,使得NANDFlash现货价和合约价都呈现跌势。
存储器模块厂表示,目前手上NANDFlash库存水位都持续降低中,主要认为在年底前NANDFlash价格很难有起色,目前先采取减少库存的策略。
对于NANDFlash市场供需,各界看法仍是偏向乐观,认为NANDFlash产品的应用领域相当多元化,包括手机、随身碟、快闪记忆卡等,都将驱动NANDFlash产业持续成长,尤其是智能型手机会是NANDFlash产业最杀手级的应用。