KLA公开EUV掩模检查装置战略

在美国KLA-Tencor于12月3日主办的“第17届YMS研讨会”上，KLA-Tencor Japan公开了有关EUV掩模检查的战略。

在本届研讨会上，KLA-Tencor Japan的长冈根据KLA-Tencor在10月于捷克布拉格举行的“2009 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography（EUVL）”上的发布内容进行了说明。据长冈介绍，目前对于半间距32nm和半间距22nm，使用现有掩模检查装置“Teron610”（广为人知的“TeraScan XR”的后续机型。检查波长为193nm，像素为55nm）。Teron610还有一些改进余地（图1）。对于半间距16nm以下，打算在美国SEMATECH等的资金支持下开发使用EUV曝光的检查装置。

后者与在NEDO的支持下作为半导体MIRAI项目由半导体尖端技术公司的寺泽等开发的相位缺陷检查装置出于同一创意，今后将以什么合作关系进行开发令人关注。另外，关于半间距32nm和22nm，很多相关人士认为要得出采用原来检查方法是否足够的结论还需要一些时间（图2）。最大的检查装置厂商KLA-Tencor对EUV掩模检查装置如此关注也说明EUV曝光技术的实用化已为时不远。（特约撰稿人：桥本 哲一）