海力士金钟甲：将扩增NANDFlash产能

据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NANDFlash的产能。

根据研究机构iSuppli资料，2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21。7%，落后三星电子(SamsungElectronics)的35。5%，

海力士也将增加NANDFlash产能，金钟甲表示，2010年底前海力士计划倍增NANDFlash存储器产能，同时，2010年快闪存储器市场供需将平衡。

此外，根据韩国研究机构调查，2010年全球个人计算机(PC)需求将成长16。4%，受惠个人计算机需求回升，海力士可望缴出2006年以来最佳的年度获利。

金钟甲表示，2010年存储器产业表现将相当好，很多因素导致需求增加，然供给的成长幅度有限，将导致整体产业供不应求。

受惠存储器价格回升，海力士将利用营收好转时减轻债务负担，2010年计划偿付1兆韩元(约8。88亿美元)的债务。海力士目前约拥有7兆韩元的计息债务，金钟甲表示，海力士的目标为偿付显著比率的债务，同时，维持足够资金投资于需要项目。