东丽道康宁开发出耐热性及加工性的功率半导体用封装材料

东丽道康宁面向SiC等新一代功率半导体，开发出了兼顾耐热性及加工性的新型硅类封装材料。特点是可在250℃条件下连续使用，而且加工性较高。比如，SiC功率半导体元件（功率元件）可在硅功率元件所限定的200℃以上的高温下工作。在200℃以上的高温下工作时，除功率元件外，还需提高其周边材料的耐热性。此次开发的新材料设想用于这些高温工作用途。

据介绍，新材料在加工性指标——粘度为50Pa·s时，耐热性指标——硬化后的热膨胀系数可减至1.0×10-5/K。粘度越低，加工性越出色，热膨胀系数越小，耐热性越高。原来的硅类封装材料很难实现兼顾低粘度及小热膨胀系数。该公司表示，此次通过控制聚硅氧烷(Polysiloxane)及高性能无机微粒子，使其合成，兼顾了加工性及耐热性。

此外，该公司与东京大学研究生院新领域创成科学研究科的大岛实验室共同开发出了功率半导体散热材料用高性能微粒子的新合成方法。该公司表示，可通过采用“超临界流体技术”，利用廉价采购的原料合成高性能微粒子。这样，便可轻松与聚硅氧烷调配。

关于此次开发的封装材料及面向散热材料的合成法的详细内容，该公司预定在2010年2月17日起于东京有明国际会展中心举办的“nano tech2010国际纳米科技综合展及国际会议”的NEDO展区内公开。另外，此次研究成果是通过NEDO委托的“超复合材料技术开发”项目取得的。（记者：根津 祯）