通过标准CMOS工艺制造MEMS，西班牙Baolab启动新业务

采用LSI多层布线工艺形成MEMS的驱动部分（下）。数据由西班牙Baolab Microsystems, S.L.提供。(点击放大) 
 
制成的MEMS开关驱动部分。数据由西班牙Baolab Microsystems, S.L.提供。(点击放大)
西班牙Baolab Microsystems, S.L.将投产只采用标准CMOS工艺制造的MEMS元件（英文发布资料）。该元件采用在CMOS LSI上的多层布线工艺形成MEMS驱动部，基本上不用MEMS专用装置和材料。该公司成立于2003年，生产基地位于西班牙巴塞罗那郊外。

Baolab表示，该公司的技术与原来采用表面微加工的MEMS相比，能够以更快的速度和更少的工序简便地制造出MEMS元件。采用此次的技术在单枚芯片内制造多个不同的MEMS元件时，与采用现有的MEMS元件制造技术时相比，成本可降至2/3以下。制造工艺采用0.18μm CMOS工艺。

具体做法是在MEMS的结构体中采用通过CMOS LSI多层布线工艺形成的金属，在牺牲层中采用了氧化膜。金属和氧化膜的成膜和图形（Patterning）采用了普通的CMOS工艺方法。该公司称，驱动部为积层4层以上的金属层。

驱动部分的制造工艺分为五个阶段：（1）排列金属和氧化膜后进行积层，（2）在其上面对负责封装中空结构的硅进行成膜，（3）在封装用硅膜中形成小孔，（4）通过这个小孔利用氢氟酸（HF）气体去除氧化膜，（5）在封装用硅膜上再次形成封装膜后堵上小孔。该公司表示，基于氢氟酸气体的牺牲层蚀刻时间不到一个小时。

采用这种方法时可利用普通的多层布线工艺，因此可轻松集成MEMS和LSI。该公司正致力于将此次工艺的目标——RF开关、电子罗盘用元件以及加速度传感器等集成到一枚芯片上的技术。目前已完成了试制，2010年内开始样品供货。

此次的方法与美国Akustica的硅麦克风（参阅本站报道）制造工艺的一部分类似。Akustica的麦克风在声压传感器中采用了对金属布线层和绝缘层进行蚀刻后形成的结构。Akustica在制造麦克风时，进一步深挖硅晶圆后形成了空洞。（记者：加藤 伸一）