台DRAM产业技术自主露曙光网罗奇梦达团队
时间：2010-04-12 14:39:35
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[导读]存储器大厂华邦电在2010年初宣示投入40奈米制程大战后，曾传出加入尔必达(Elpida)45奈米阵营，然近期华邦内部已悄悄网罗一组奇梦达(Qimonda)技术团队，借用埋入式闸极字元线连结(BuriedWordline)技术自行开发46奈米制
存储器大厂华邦电在2010年初宣示投入40奈米制程大战后，曾传出加入尔必达(Elpida)45奈米阵营，然近期华邦内部已悄悄网罗一组奇梦达(Qimonda)技术团队，借用埋入式闸极字元线连结(BuriedWordline)技术自行开发46奈米制程，可望成为台湾第1家自己拥有40奈米世代DRAM技术存储器大厂，未来华邦在标准型DRAM技术恐将与尔必达渐行渐远。
台系DRAM厂陆续揭示40奈米制程计画蓝图，华邦在2010年初亦对外宣布将建立40奈米制程自有团队，且已先就当前最缺货的浸润式微影机器设备(ImmersionScanner)下订单，充分展现卡位40奈米市场的决心。
原本业界认为华邦与尔必达合作关系，将从绘图卡存储器(GDDR)代工，延伸至标准型DRAM45奈米技术，然近期华邦已悄悄网罗之前合作伙伴奇梦达技术团队，计划凭借既有65奈米技术基础，自行研发奇梦达已开发完成的46奈米BuriedWordline技术，成为台湾第1家在40奈米世代走上技术开发自主之路的DRAM厂。
存储器业者表示，奇梦达BuriedWordline技术系当初试图从沟槽式(Trench)技术转型至堆叠式(Stack)技术的代表作，2008年底BuriedWordline技术已成功试产65奈米制程，并完成46奈米产品开发，原计划在2009年中量产，但奇梦达财务状况持续恶化，2009年3月就宣布破产。
存储器业者认为，奇梦达BuriedWordline技术其实相当有竞争力，生产出来的晶圆尺寸非常小，若顺利进入量产阶段，成本结构竞争力不输同业，当时连尔必达都被奇梦达该技术所吸引，双方一度想要合作，但奇梦达终究因为财务赤字，而淹没在DRAM大崩盘洪流中。
这次华邦借著过去与奇梦达合作65奈米技术基础，加上延揽奇梦达部分设计团队，以及融合手上奇梦达GDDR专利和技术，自行开发46奈米制程，将走出一条有别于目前台湾DRAM技术阵营除美光(Micron)和尔必达外的第3条路。
事实上，华邦走向自己开发DRAM制程技术之路，主要系因华邦营运重心已逐渐从标准型DRAM转向，专注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技术对于华邦而言，虽然一定要参与，但没有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生产，直到2010年底都还相当具竞争力，不像南亚科、华亚科、力晶等标准型DRAM厂追求低成本，急著在2010年下半转进40奈米世代，华邦转进40奈米系为SDRAM下世代技术铺路，并不急于导入。
存储器业者指出，华邦没有与尔必达合作45奈米制程另一个考量，系因尔必达在输出技术时会要求以产能交换，但华邦旗下12寸晶圆产能只有3.2万片，2010年下半NORFlash产能占掉1万片，加上SDRAM和MobileRAM产能排挤，标准型DRAM产能已降至3,000~4,000片，实在没有产能可与尔必达谈判，因而未能成局。
另外，尔必达过去输出技术除保障产能外，亦会要求技术授权费用，产能越大的DRAM厂，每片晶圆所分摊技术授权费越低，以华邦3.2万片产能来看，就算全部都拿来做DRAM，算下来每片晶圆成本还是很高，与尔必达合作未必占便宜。
DRAM业者认为，原本尔必达在台厂布局中，华邦是继力晶、瑞晶、茂德之后下一个囊中物，但现在华邦走上自有技术开发之路，未来尔必达与既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之间互动，势必会更紧密。尔必达阵营中的力晶和瑞晶，计划于2010年下半导入45奈米制程，美光阵营的南亚科和华亚科则将导入42奈米，如今加上华邦46奈米技术加入战局，DRAM产业40奈米大战热闹可期。
台系DRAM厂陆续揭示40奈米制程计画蓝图，华邦在2010年初亦对外宣布将建立40奈米制程自有团队，且已先就当前最缺货的浸润式微影机器设备(ImmersionScanner)下订单，充分展现卡位40奈米市场的决心。
原本业界认为华邦与尔必达合作关系，将从绘图卡存储器(GDDR)代工，延伸至标准型DRAM45奈米技术，然近期华邦已悄悄网罗之前合作伙伴奇梦达技术团队，计划凭借既有65奈米技术基础，自行研发奇梦达已开发完成的46奈米BuriedWordline技术，成为台湾第1家在40奈米世代走上技术开发自主之路的DRAM厂。
存储器业者表示，奇梦达BuriedWordline技术系当初试图从沟槽式(Trench)技术转型至堆叠式(Stack)技术的代表作，2008年底BuriedWordline技术已成功试产65奈米制程，并完成46奈米产品开发，原计划在2009年中量产，但奇梦达财务状况持续恶化，2009年3月就宣布破产。
存储器业者认为，奇梦达BuriedWordline技术其实相当有竞争力，生产出来的晶圆尺寸非常小，若顺利进入量产阶段，成本结构竞争力不输同业，当时连尔必达都被奇梦达该技术所吸引，双方一度想要合作，但奇梦达终究因为财务赤字，而淹没在DRAM大崩盘洪流中。
这次华邦借著过去与奇梦达合作65奈米技术基础，加上延揽奇梦达部分设计团队，以及融合手上奇梦达GDDR专利和技术，自行开发46奈米制程，将走出一条有别于目前台湾DRAM技术阵营除美光(Micron)和尔必达外的第3条路。
事实上，华邦走向自己开发DRAM制程技术之路，主要系因华邦营运重心已逐渐从标准型DRAM转向，专注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技术对于华邦而言，虽然一定要参与，但没有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生产，直到2010年底都还相当具竞争力，不像南亚科、华亚科、力晶等标准型DRAM厂追求低成本，急著在2010年下半转进40奈米世代，华邦转进40奈米系为SDRAM下世代技术铺路，并不急于导入。
存储器业者指出，华邦没有与尔必达合作45奈米制程另一个考量，系因尔必达在输出技术时会要求以产能交换，但华邦旗下12寸晶圆产能只有3.2万片，2010年下半NORFlash产能占掉1万片，加上SDRAM和MobileRAM产能排挤，标准型DRAM产能已降至3,000~4,000片，实在没有产能可与尔必达谈判，因而未能成局。
另外，尔必达过去输出技术除保障产能外，亦会要求技术授权费用，产能越大的DRAM厂，每片晶圆所分摊技术授权费越低，以华邦3.2万片产能来看，就算全部都拿来做DRAM，算下来每片晶圆成本还是很高，与尔必达合作未必占便宜。
DRAM业者认为，原本尔必达在台厂布局中，华邦是继力晶、瑞晶、茂德之后下一个囊中物，但现在华邦走上自有技术开发之路，未来尔必达与既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之间互动，势必会更紧密。尔必达阵营中的力晶和瑞晶，计划于2010年下半导入45奈米制程，美光阵营的南亚科和华亚科则将导入42奈米，如今加上华邦46奈米技术加入战局，DRAM产业40奈米大战热闹可期。
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