意法半导体（ST）发布突破性功率封装，扩大 MDmesh™ V MOSFET晶体管的功率密度优势

意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh™ V功率MOSFET技术的功率密度。

在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小的裸片，并提供一个裸露的金属漏极焊盘，有效排除内部产生的热量。薄型封装将使设计人员能够设计更薄的电源外壳，为当今市场提供紧凑时尚的新产品。客户可从两个公司获得这款新的标准产品：意法半导体和英飞凌（Infineon Technologies）均将推出采用这个创新封装的MOSFET晶体管，意法半导体的产品名称是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飞凌的产品名称是ThinPAK 8x8，从而为客户提供高品质双货源供货。

新封装的纤薄外形和优异的散热性能，结合意法半导体MDmesh V技术的无与伦比的超低单位裸片面积导通电阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，节省印刷电路板空间。意法半导体将在现有的MDmesh V 产品阵容内加入PowerFLAT 8x8 HV封装的MOSFET，目前已发布该系列首款产品：650V STL21N65M5。

意法半导体功率晶体管产品部市场总监Maurizio Giudice表示：“我们与英飞凌的合作卓有成效，已开发出一项高性能封装技术，我们的客户可以获得尖端的应用设计和全球两大功率半导体厂商支持的芯片封装。这项具有突破性的封装技术结合意法半导体独有的业内最先进的MDmesh V制程，我们的全新MOSFET将提供相同额定电压产品中最高的功率密度和能效。”

STL21N65M5的主要特性：
• RDS(ON)：0.190Ω
• 最大额定输出电流 （ID）：17A
• 结到外壳热阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W

关于意法半导体的MDmesh™ V技术:
MDmesh V是意法半导体的新一代多漏极网格技术，该项技术可最大限度地降低导通损耗，同时不会对开关性能产生很大的影响。采用这项技术的MOSFET能够让设计人员符合对电子产品能效有更高要求的环保设计法规，还能让他们有机会在再生能源等新兴产业中寻找市场机遇，因为在全球发展新兴产业的浪潮中，最大限度地降低功率转换损耗是降低每瓦成本的关键所在。

MDmesh V架构改进了晶体管的漏极结构，可有效降低漏源电压降，结果，裸片单位面积的导通电阻非常低，尺寸小的器件也能取得超低的通态损耗。事实上，在采用TO-220标准封装的650V MOSFET产品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 记录。

MDmesh V 器件的栅电荷量(Qg)也很低，在高速开关时能效优异，RDS(ON) x Qg 性能因数 (FOM)很小。新产品650V的击穿电压高于竞争品牌的600V产品的击穿电压，为设计工程师提供了十分宝贵的安全裕量。这些器件的 Vdss额定击穿电压很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，并100%经过雪崩测试。另一项优势是，整齐的关断波形有助于简化栅极控制，降低对EMI滤波的要求。

现已上市的MDmesh V技术产品采用各种工业标准封装，包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。