长野封装论坛的傅田精一指出TSV的现状与课题

时间：2010-06-09 07:31:00

关键字：封装 PACKAGE 封装技术晶圆

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[导读]日本长野县工科短期大学、长野封装论坛的傅田精一指出了采用硅贯通孔（Through SiVia：TSV）的三维封装技术的现状与课题。在“JPCA Show2010”（2010年6月2～4日，东京有明国际会展中心）并设的研讨会“2010最尖端封

日本长野县工科短期大学、长野封装论坛的傅田精一指出了采用硅贯通孔（Through SiVia：TSV）的三维封装技术的现状与课题。在“JPCA Show2010”（2010年6月2～4日，东京有明国际会展中心）并设的研讨会“2010最尖端封装技术研讨会”的3B1分会“越来越普及的最尖端三维封装技术的未来”上，傅田精一发表了题为“硅贯通电极技术的动向与问题点”的演讲。

傅田精一就TSV的现状指出，在2010年内虽然将面向内存实用化，但TSV的应用范围还是有限的。而且，TSV取代PoP（Package onPackage）和SiP（System inPackage）将会在2011年以后。要解决的课题与原来相同，仍然是成本问题。不过，他指出，除了单纯的加工成本外，还要考虑其他成本。包括诸如为形成TSV区域的芯片面积增加、随TSV形成的成品率下降、积层芯片的焊点间距（Pad Pitch）不同时需要的重新设计和导入转接板而带来的成本等。

具体为，300mm晶圆的处理成本为3000～5000美元，即使将单纯的加工成本降至相当于其百分之几的50美元以下，则加上前面提到的其他成本，也将会有近10％的成本增加。这样，成本增加幅度过大，从而难以采用TSV。考虑到这一点，则需在目前已比原来降低了很多的成本基础上，再削减50％以上。关于个别的工艺技术，提到了使蚀刻开口的通孔内壁更加平滑，将镀铜（Cu）的处理时间缩短至数分钟，以及晶圆级TSV的成品率需要提高到85％以上等。另外，傅田精一指出，还需要可处理使用TSV的IC芯片的EDA工具。（记者：长广恭明）