东电与荏原将实施2Xnm用铜布线技术联合评测

东电电子（TEL）与荏原制作所宣布，双方已就实施有关2Xnm工艺用铜（Cu）布线技术的联合评测达成一致。针对TEL面向铜布线开发的底层形成技术使用的钌（Ru），该公司将与CMP（化学机械研磨）设备厂商荏原制作所共同实施成膜技术及CMP技术的联合评测。

铜布线相关领域是制造装置厂商激烈竞争的领域之一。该领域因铜布线的应用范围由逻辑LSI扩大到闪存及DRAM，市场有望进一步扩大，因此，现有厂商之间竞争激烈，新厂商涉足该领域的热情也十分高涨。另外，从3Xnm工艺到2Xnm工艺之间，存在的技术问题日益显现，因此，如果能够开发出可解决这些问题的新技术，新厂商及份额较低的厂商就可能会获得较高的份额。

具体的技术问题是，随着工艺技术微细化至3Xnm或2Xnm，在微细通孔中嵌入铜越来越困难。对此，在铜布线领域拥有业绩的美国应用材料（AMAT）及美国NovellusSysytems等目前正在改进现有技术。TEL力争通过开发新技术涉足该领域并获得市场份额。TEL开发的技术是，利用溅镀机使用于镀铜的底层、5nm厚的钛（Ti）阻挡层成膜，并利用CVD在上面形成2nm厚的钌Liner层薄膜。另外，铜籽晶层成膜不成膜均可。

此次，为了普及推广该技术，TEL与荏原就实施联合评测达成了一致。双方的目标是，通过融合TEL的成膜技术与荏原的CMP技术，确立适用于2Xnm工艺半导体量产的工艺整合技术，今后由两公司提供采用该技术的制造装置等。另外，还会实施将此次的技术用于硅通孔（through siliconvia：TSV）的联合评测。实施这样的联合评测，TEL的用意在于促使半导体厂商采用该公司的技术，对于荏原而言，好处在于半导体厂商在采用TEL的技术时，更易同时采用荏原的CMP装置。

此次实施联合评测的地点有TEL的山梨县韮崎基地，荏原位于神奈川县藤泽市的基地，以及美国纳米科学与工程学院（CNSE）的奥尔巴尼纳米技术中心（AlbanyNanoTech）3处。在CNSE-Abany，TEL和荏原将在分配给自己的时间内使用该中心的设备，仅在两公司间实施评测。（记者：长广 恭明）