台湾日月光集团在主题演讲中展示三维LSI的可行性

电子电路国际展会“JPCA Show 2010”于2010年6月2日在东京有明国际会展中心开幕。会期截至6月4日。此次的参展厂商有454家（上次为440家），展位数量为1483标间（上次为1475标间），预计与会人数在三天内将超过10万人（上次有9万4324人）。

在展会现场的Premium Stage举行的“制造Festa 2010”主题演讲中，台湾日月光集团（ASE Group）集团研发中心总经理兼首席研发官唐和明介绍了三维LSI的可行性。

唐和明表示，有必要在今后5～10年内将智能手机等的数据处理性能提高至10～1000倍，仅通过SoC的微细化来实现这一目标是比较困难的。唐和明表示，由于成本负担激增，微细化进程“将有可能结束于从2012年前后开始生产的20nm左右工艺”。

作为其对策，企业正在推进探讨高迁移率的通道技术等，不过在时间上应该来不及了，因此唐和明认为“三维LSI将有可能成为有前景的解决方案”。另外，唐和明所说的三维LSI主要是指通过TSV（硅贯通孔）来积层连接芯片之间的技术，对于芯片间的无线连接技术也寄予厚望。

使用三维LSI的话，将可以比从20nm工艺细微化至16nm工艺更好地改善性价比，因此唐和明认为今后应该转为投资三维LSI。另外，他还指出，三维LSI不仅是制造技术，系统架构也很重要，因此LSI业界和制造设备业界的协调不可缺少。

作为二维LSI和三维LSI的中间定位，还提出了2.5维LSI这一观点。这主要是指通过带有TSV的硅转接板（Interposer），来积层连接芯片之间的技术。此时，虽然无法期望具备如同三维LSI般的性能，但是可以利用现有的生产线，因此有望作为面向三维LSI的过渡技术。

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