尔必达赴台设NAND Flash研发中心

时间：2010-07-20 14:09:23

关键字： Flash NAND 研发中心尔必达

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[导读]据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NANDFlash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。据悉，尔必达与台湾创新存储器公司（TIMC）

据了解，日商尔必达已决定来台设立研发中心，且选定投入高阶技术NANDFlash领域。尔必达来台投资研发中心金额约在50、60亿新台币，未来将与力晶等日系半导体业者进一步合作。

据悉，尔必达与台湾创新存储器公司（TIMC）合作虽然破局，但尔必达与台湾业者联合抗韩的意图依旧存在，政府单位与尔必达互动密切，尔必达已于日前向经济部递出在台设立研发中心的初步计划书，经济部正进行审查中。

官员透露，尔必达来台设立研发中心的计划相当成熟，已进入实质合作内容洽谈中，研发中心切入的产品并非一般的动态存储器（DRAM），而是切入高阶的NANDFlash产品的研发。

NANDFlash技术领先DRAM一个世代，目前全球前五大制造厂被三星、东芝、美光、海力士、英特尔囊括全球96.8％市占率，台湾厂商在这一块缺席，原本在NANDFlash技术上相对薄弱的尔必达，在买下飞索（Spansion）NAND技术资产后，规划在明年投入NANDFlash量产。