DRAM厂制程转换不顺新产能变数多
时间：2010-07-14 15:15:55
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[导读]近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传
近期DRAM市场供需杂音多，由于终端需求前景不明，7月合约价不见起色，仍持续往下修正，加上随著40和50纳米制程微缩导致产能增加，进而压抑价格走势，然值得注意的是，目前各家DRAM厂在40和50纳米世代转换不顺消息频传，新产能是否能如期出笼仍存变量，因此，第3季DRAM价格还有多少修正空间，目前仍处于混沌状态。
DRAM业者表示，自从PC大厂祭出降低DRAM搭载率策略后，原本供给吃紧的DRAM市场顿时松动，原本搭配4GB模块被砍到仅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM产能消耗量，加上欧洲债信问题雪上加霜，导致整个终端买气急冷冻，第2季DRAM价格走势呈现虎头蛇尾情况。
展望第3季DRAM价格走向，7月合约价反映需求疲弱而持续下跌，各业者对于第3季整体合约价看法，乐观的业者认为可维持平稳或小跌，但悲观声浪认为将一路走跌，直至PC企业换机潮大量出笼后，才有回稳迹象。
不过，DRAM业者指出，第3季DRAM价格走向要看各厂制程微缩进度是否如预期顺利，按照各家DRAM厂40和50纳米量产时间表，第3季DRAM产能增加数量将相当可观，但近期各家DRAM厂制程转换不顺消息频传，若第3季新产能开出进度不如预期，价格走势未必会太悲观。
事实上，由于各DRAM厂进入40和50纳米制程后，开始导入浸润式曝光机台(ImmersionScanner)，可说是最艰深的一道门槛，转换制程学习曲线难度远高于过去，导致2010年DRAM供给端变量相当复杂。
存储器业者表示，南亚科和华亚科2009年起由70纳米转进50纳米，加上沟槽式(Trench)转进堆叠式(Stack)亦是大工程，直到2010年第3季50纳米产品才会大量产出，但各界对于其50纳米进度仍存疑虑，凸显50纳米制程门槛颇高。另外，尔必达(Elpida)阵营包括力晶、瑞晶、茂德等，未来要从63纳米转进45纳米所遇到困难，并不亚于南亚科和华亚科，尤其跳过50纳米直接转进45纳米，更是一大挑战。
DRAM业者表示，7月合约价持续往下，目前各界对于8月合约价走势不太乐观，主要是短期内看不到终端需求大幅回笼迹象，唯一寄望是企业换机潮大量出笼，而另一个稳住价格动力，就是各厂40和50纳米量产进度再度往后延。
DRAM业者表示，自从PC大厂祭出降低DRAM搭载率策略后，原本供给吃紧的DRAM市场顿时松动，原本搭配4GB模块被砍到仅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM产能消耗量，加上欧洲债信问题雪上加霜，导致整个终端买气急冷冻，第2季DRAM价格走势呈现虎头蛇尾情况。
展望第3季DRAM价格走向，7月合约价反映需求疲弱而持续下跌，各业者对于第3季整体合约价看法，乐观的业者认为可维持平稳或小跌，但悲观声浪认为将一路走跌，直至PC企业换机潮大量出笼后，才有回稳迹象。
不过，DRAM业者指出，第3季DRAM价格走向要看各厂制程微缩进度是否如预期顺利，按照各家DRAM厂40和50纳米量产时间表，第3季DRAM产能增加数量将相当可观，但近期各家DRAM厂制程转换不顺消息频传，若第3季新产能开出进度不如预期，价格走势未必会太悲观。
事实上，由于各DRAM厂进入40和50纳米制程后，开始导入浸润式曝光机台(ImmersionScanner)，可说是最艰深的一道门槛，转换制程学习曲线难度远高于过去，导致2010年DRAM供给端变量相当复杂。
存储器业者表示，南亚科和华亚科2009年起由70纳米转进50纳米，加上沟槽式(Trench)转进堆叠式(Stack)亦是大工程，直到2010年第3季50纳米产品才会大量产出，但各界对于其50纳米进度仍存疑虑，凸显50纳米制程门槛颇高。另外，尔必达(Elpida)阵营包括力晶、瑞晶、茂德等，未来要从63纳米转进45纳米所遇到困难，并不亚于南亚科和华亚科，尤其跳过50纳米直接转进45纳米，更是一大挑战。
DRAM业者表示，7月合约价持续往下，目前各界对于8月合约价走势不太乐观，主要是短期内看不到终端需求大幅回笼迹象，唯一寄望是企业换机潮大量出笼，而另一个稳住价格动力，就是各厂40和50纳米量产进度再度往后延。
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