忆阻器技术准备迈向商业化

惠普(HP)近日宣布与韩国业者海力士(Hynix)签署合作研发协议，旨在将忆阻器(memristor)技术商业化；这两家公司将共同开发新的材料与制程整合技术，好将HP的忆阻器技术由研发阶段，推向以电阻式随机存取内存(resistive random access memory，ReRAM)形式呈现的商业化开发阶段。

HP表示，双方的合作并非是排他的，该公司也有可能与其它厂商在 ReRAM 领域合作；而HP资深院士暨HP信息与量子系统实验室创始总监Stan Williams表示，该公司本身并不打算涉足ReRAM 业务。他在接受EETimes美国版采访时透露，未来HP期望将ReRAM运用在自家产品中，但目前尚不能公开是哪种产品。

Williams指出，在初期，HP将与Hynix在芯片方面进行合作；接下来，HP期望将合作范围扩及其它内存厂商。他表示，这将让产业界能以具竞争力的价格买到ReRAM。

Hynix将在自有实验室进行忆阻器的实作；该公司在内存技术方面是多方下注，目前也涉足其它竞争性内存技术的研究，包括与三星电子(Samsung Electronics)共同研发 MRAM 技术，以及与Grandis合作研发一种称为「自旋转移力矩随机存取内存(spin-transfer torque RAM)」的新一代MRAM技术。

ReRAM与FeRAM、MRAM还有相变化内存(phase-change memory)，都是新一代的内存技术；根据HP的介绍，ReRAM是一种低功耗的非挥发性内存，具备取代闪存的潜力，此外也有机会用以做为通用储存媒介──也就是能扮演目前闪存、DRAM甚至是硬盘机等储存装置的角色。

Williams表示，采用ReRAM的终端产品预计在2013年底问世：「这是一种黑马级的技术，我认为它将会脱颖而出。」HP与Hynix尚未定义出将采用ReRAM的第一批终端产品，但Williams认为，该种内存技术是固态储存、PC主存储器与其它产品的理想选择。