台积电/ADI携手开发0.18微米类比制程技术平台

台积电(TSM-US)(2330-TW)与美商亚德诺(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布双方合作开发完成可支援精密类比积体电路的0.18微米类比制程技术平台。此平台适合许多电脑、工业电子及消费性电子产品的应用。

此崭新的制程技术平台能够大幅改善类比效能，支援诸多元件的应用，包括交流电转直流电(A/D)与直流电转交流电(D/A)转换器、电源管理元件、以及音讯编/解码器，这些元件皆被广泛应用于消费性电子、通讯产品、电脑、工业电子、以及汽车产品。

0.18微米5伏电压制程所达到的性能提升效果包括杂音改善幅度提升一个数量级(An Order of Magnitude)、静态漏电流(Standby Leakage Current)减少幅度达70%、线性度(Linearity)改善50%、以及电容电阻匹配(Capacitor and Resistor Matching)改善幅度达50%。

ADI藉此新开发平台于最近发表的产品包括隔离式控制器区域网路(Control-Area Network，CAN)收发器、高速可寻址远端换能器(Highway Addressable Remote Transducer, HART)数据机IC、心电图(ECG)类比前端(AFE)晶片、数位电位器(Digital Potentiometer)、以及音讯编码器。

台积电0.18微米BCD(Bipolar–CMOS -DMOS，双极–互补金属氧化半导体–双重扩散金属氧化半导体)制程平台能够支援广大的操作电压范围，并且提供具有成本效益的操作优势，拥有极小的覆盖面积(Footprint)与极高的能源效率，此平台适合许多电脑、工业电子及消费性电子产品的应用。

更多资讯请关注：21ic模拟频道