台积电转变策略 开发行动和智能穿戴装置技术

就在市场普遍关注晶圆代工厂的28纳米制程竞争之际，晶圆代工龙头台积电(2330)仍积极将现有技术升级为特殊技术制程产能，原因就是持续看好行动装置及智能穿戴装置的强劲成长动能，包括嵌入式快闪存储器(eFlash)、CMOS影像传感器、指纹辨识元件、微机电及光感测元件等，都是台积电未来2～3年的布局重点。

台积电董事长张忠谋在上周法说会中，特别提及特殊技术重要性，因为行动装置及智能穿戴装置的ARM架构核心处理器芯片，会大量用到28纳米以下先进制程，但其它的类比或感测芯片同样重要，而这些芯片虽不需应用到先进制程，但现有的6寸或8寸成熟制程仍需升级之后，才能生产出符合市场需求的芯片。

张忠谋提及，特殊技术制程未来几年将见到明显成长，包括高电压电源管理IC、嵌入式快闪存储器微控制器(eFlash MCU)、陀螺仪等微机电、CMOS影像传感器等最被看好。

当然，随着行动装置及智能穿戴装置在功能上的推除出新，台积电也推出许多特殊技术制程因应客户需求，包括将感测芯片及镜头堆叠在一起的新技术、指纹辨识需应用到的混合讯号制程、应用在近场无线通讯(NFC)及触控IC上的eFlash技术等。

台积电过去几年将成熟制程发展，列出MR. ABCD的新策略，锁定6大产品线发展。根据台积电规画，包括微机电及微控制器(MEMS & MCU)、射频芯片(RF)、汽车及类比芯片(Automative & Analog)、电源管理芯片使用的高压BCD制程、影像传感器(CMOS Image Sensor)、及显示器驱动芯片(Display)等。6大产品线取其第一个英文字母，就成为了MR. ABCD策略。

分析师指出，台积电MR. ABCD过去几年拿下不少订单，现在行动装置及智能穿戴装置中，采用成熟制程的新功能芯片成长快速，台积电利用原本基础投入新一代特殊技术开发，这个策略及转变已运行一段时间，也得到不少客户青睐。