联电与IBM携手合作 积极争取14/10奈米FinFET制程主导权

联电近期与IBM签订合作计划，全力冲刺14和10奈米(nm)鳍式电晶体(FinFET)制程量产。不过，联电也不忘记取当初发展0.13微米时，授权IBM方案却面临量产窒碍难行，反遭台积电大幅超前进度的教训;此次在14/10奈米的合作仅将采用IBM基础技术平台与材料科技，并将主导大部分制程研发，以结合先进科技和具成本效益的量产技术，避免重蹈覆辙。

联电执行长颜博文表示，随着IC设计业者对于更新、更先进技术的需求日益增高，联电日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术联盟，将与IBM协同努力，克服现阶段的研发障碍。

事实上，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)在14奈米FinFET制程发展方面，亦与IBM有相当密切的合作往来，因而引发业界对联电难以突显制程差异性的疑虑。此外，法人也忧心联电和IBM共同推动0.13微米制程的失败情形重演，更对IBM的前瞻制程科技抱持“中看不重用”的怀疑，担心联电无法在2015年的1x奈米FinFET市场争取有利位置。

对此，颜博文回应，过去联电在0.13微米落后对手肇因于未与IBM明确分工，因此，未来发展14和10奈米制程，联电将导入IBM的FinFET基础制程平台与材料科技，加速复杂立体结构的FinFET技术成形，同时根据客户需求自行开发衍生性的量产方案，以结合两家公司各自的技术能量，加快产品上市时程，并提高制程独特性与市场竞争力。

据悉，联电将积极争取14/10奈米FinFET制程主导权，除持续扩充相关制程设备与验证分析解决方案的第三方合作夥伴阵容外，今年规画15亿美元资本支出中，亦将投入三分之二建置28奈米以下制程，可见其高度看重FinFET技术投资。

颜博文进一步强调，相较于其他竞争对手投注大量资源发展20奈米制程，联电将跳过此一制程节点，集中火力抢攻14奈米FinFET技术，并将同步启动10奈米FinFET研究计划，让资本支出与研发资源发挥最大效益。