安森美半导体与ICs LLC合作 开发抗辐射加固ASIC

21ic讯 推动高能效创新的安森美半导体与ICs LLC达成授权/开发协议，将能够抗辐射的专用集成电路(ASIC)推向市场。通过这协议产生的抗辐射加固设计(RHBD) ASIC将基于安森美半导体的ONC110 110纳米(nm)工艺，用于ASIC设计及生产。引入RHBD ASIC扩展了公司包含遵从国际武器贸易规章认证(ITAR)、美国国防微电子业务处(DMEA)可信供应商认证及DO-254支援的军事及航空产品阵容。

辐射测试已经显示这些ASIC在遭受超过100 MeVcm2/mg的线性能量转移(LETs)攻击时具备强大的抗单粒子翻转(SEU)及抗单粒子闭锁(SEL)性能，而双端口静态随机存取存储器(SRAM)提供40 MeVcm2/mg的抗双位翻转(DBU)性能。此外，还引入了新颖的RHBD触发器(flip flop)架构，称作自修复逻辑(SRL)。这SRL触发器已经显示出在高达700兆赫兹(MHz)频率时抗单粒子效应的强固性。这些新RHBD IC的首要目标将是高可靠性应用，如太空探索、卫星通信及监控、航空、无人飞行器(UAV)、商用飞机、核能、粒子物理研究及军事装备。

ICs LLC首席执行官(CEO) Joe Feeley博士说：“随着业界迈向更小半导体工艺结构，减轻辐射效应正成为一个日益重要的问题。用于抗SEU的传统RHBD方案并没有为高速电路提供充足的保护，SRL方案则提供充足保护。安森美半导体是解决这重要问题的唯一方案供应商，使客户能够为重要的实时应用生产容错型ASIC。”

安森美半导体军事/航空、数字及定制代工副总裁Vince Hopkin说：“得益于与ICs LLC达成的这影响深远的协议，安森美半导体能配合我们客户的要求，提供拥有更大数量逻辑门及更小几何尺寸工艺技术的ASIC，同时还针对因暴露在辐射环境下导致的故障提供充沛保护。结合我们的可信供货源身份及提供高度安全之开发流程能力，增添RHBD于产品阵容表示我们处在极有利的位置，能够服务多种多样的航空、军事及太空项目，而这些项目中非常讲究数据及知识产权(IP)的完整性。”