国产GaN研发取得突破进展,本月底试产,明年正式量产!
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近日,在深圳会展中心举办的深圳国际电子展上,英诺赛科(珠海)科技有限公司市场销售副总裁参加“2018(冬季)中国USB PD快充产业高峰论坛”分享了“8英寸硅基氮化镓在快充应用的机会和挑战”主题演讲。
陈钰林分别从企业介绍、GaN在快充市场的机会、高频高效快充方案挑战点三个角度入手,给行业工程师们分享了有关GaN的相关知识。
GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料,第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
陈钰林透露,国产GaN研发取得突破进展,100V、150V、650V三个GaN新品将于2018年12月底试产,2019年正式量产。目前,英诺赛科已有5个产品(40V、60V、100V等)实现小批量生产并有接到订单,这些产品均采用了目前行业领先的8寸Fab产线制造。
目前英诺赛科采用IDM全产业链模式,国内首家自建8寸晶圆厂用于GaN的产业配套,成功建立了一条涵盖研发、设计、生产、测试、销售、市场、技术支持等在内完整的GaN产业链。产品包括30V到650V的功率器件,功率模块,及射频器件等,将在5G通信,新能源汽车,智能制造,人工智能,大数据中心等战略新兴领域拥有巨大的优势和发展空间。
现场,英诺赛科展示了最新的15W车载充电器应用案例,通过跟传统方案对比发现,具有体积小、效率高等特色,这个正是基于量产的GaN进行开发设计。
除了车载充电器应用,氮化镓在大功率快充充电器的应用可谓吸引了全球眼球,高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块,小巧的体积一样可以实现大功率输出,比Apple原厂30W充电器更小更轻便。
将内置氮化镓充电器与传统充电器并排放在一起看看,内置氮化镓充电器输出功率达到27W,Apple USB-C充电器输出功率30W,两者功率相差不大,但体积上却是完全不同的级别,内置氮化镓充电器比苹果充电器体积小40%。