重大突破！我国研制出单片集成全硅发光器件

据科技日报报道，电子科技大学徐开凯课题组借助标准硅IC工艺研制出单片集成的全硅发光器件，实现基于PN结级联的高效多晶硅光源。

这项技术的意义在于，取得了全硅半导体光电器件与集成技术领域的新突破。

据电子科技大学全硅半导体光电器件与集成技术研究小组相关负责人介绍，依托电子薄膜与集成器件国家重点实验室等，与中国电子科技集团重庆声光电有限公司等单位合作，尝试通过引入多晶硅材料全面替代单晶硅材料，载流子注入工程与器件结构设计实现优势互补，实现了一种相对高效的多晶硅光源，其PN结级联之器件结构也为实现高频调制奠定了技术基础。基于上述研究，课题组赵建明及研究团队同学还实现了基于PN结结构之载流子注入回路，这一基于硅传感器的载流子注入之电光回路未来有望应用于包括激光雷达、毫米波雷达等在内的诸多感知设备中。

芯片级硅基光电子集成技术，具有体积小、功耗低、稳定性高、成本低等特点，是当今半导体光电器件与集成技术中最有前景的主流技术之一。硅基光电子器件与CMOS工艺兼容也正令光电子器件的大规模集成成为可能。