移动应用驱动BSI加速发展

智能型手机、平板计算机等手持式装置当道，且对于相机画素规格要求愈来愈高，不但是画素规格朝800万迈进，预期2012年起1,200万画素CIS将成为主流趋势，CIS技术纷纷导入背照式(Backside Illumination;BSI)制程，Omnivision在台积电产能纷转进BSI制程，Aptina也推出BSI制程CIS，美商应材(Applied Materials)也推Producer Optiva化学气相沉积系统针对BSI制程市场。

BSI为背光照度技术，使用的技术原理与传统Frontside Illumination(FSI)不同。BSI技术是让CMOS影像传感器有更进一步的感亮度，在画质和色彩呈现上也更佳，有别于传统FSI把彩色滤光膜(RGB)与微镜头(micro lens)铺在金属层上，且BSI的原理是把整个影像传感器上下翻转，并把彩色滤光膜和微镜头铺在基板上，可克服传统FSI原有削弱感亮度的问题。

市调机构指出，2010年智能型手机会内建BSI传感器比重为14%，预计到2014年将有4分之3的智能型手机会内建BSI传感器。

目前许多晶圆厂正努力转型至12吋晶圆，使每片晶圆生产双倍数量的传感器，以目前全球最大CIS供货商Omnivision为例，在台积电产能也纷纷转进BSI制程下，Aptina也推出1.1微米背照式BSI制程CIS。

半导体设备厂方面，美商应材在「Semicon Japan 2011」期间，也推出针对BSI影像传感器市场的Applied Producer Optiva化学气相沉积系统，内建特殊功能可沉积低温的共形薄膜，可提升传感器的低光效能，进而提高良率且降低成本，主要应用于智能型手机、平板计算机和高阶相机;应材内部预估，2014年前全球BSI影像传感器需求将高达3亿个。

应材指出，影像传感器配备直接在光电二极管上的微透镜，藉以提高每像素的集光能力，Producer Optiva系统在微透镜上覆盖一层坚固的透明薄膜，可减少反射现象与刮痕，保护镜片不受环境破坏，且是能以低于摄氏200度的温度达成大于95%共形沉积的系统。

此Producer Optiva化学气相沉积系统也可针对3D芯片封装，用来沉积硅穿孔(TSV)的共形绝缘膜。

CIS算是目前消费性电子产品中，最适合3D IC技术的应用，因为硅穿孔(TSV)技术可实现3D IC异质整合的架构，符合产品尺寸愈来愈缩小化的需求。

目前有TSV技术的CIS业者包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、台积电、精材(Xintec)、豪威(OmniVision)、Aptina、意法半导体(STMicroelectronics)等，且都投入此技术已有多年。