罗姆亮相IIC-China2011春季展
扫描二维码
随时随地手机看文章
日本知名半导体制造商罗姆于2011年2月24日~26日亮相"第十六届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China2011春季展)”。在深圳会展中心举行的此次中国最大型半导体综合展示会上,罗姆围绕LED驱动,代功率器件,传感器三大中国主产品线,推出各领域多种符合市场需求的新产品,引起业内外人士众多关注。
作为全球著名半导体厂商之一,此次已是罗姆(ROHM)集团第2次参展深圳国际集成电路研讨会暨展览会。罗姆表示:“罗姆十分重视中国市场,,持续参展,是为了把罗姆在研发上取得的先进技术与中国企业分享,寻求共同进步。今后罗姆集团也继续将加大中国市场的研发力度。”
罗姆(ROHM)展区
自1958年创业至今,罗姆(ROHM)集团一直致力于新技术的研发,从日常生活中使用的手机,电脑处理器,电视机面板,LED照明,各类白电,到融合了罗姆传感技术的医疗检测传感器,几乎无处不渗透着罗姆的先进技术。此次展会上,按照应用领域,此次罗姆展台分为10大展区,分别是功率器件、白色家电、英特尔® 凌动™ 处理器E600系列专用芯片及参考板、TV/面板、LED照明、手机/便携设备、生物传感器、车载/汽车音响、通用产品、以及公司简介等。展品围绕罗姆在中国国内锁定的三大产品线*注1展开,涵盖应用于各种领域的众多产品群,充分地展示了其出色的技术实力,以及近年积极地在全球范围展开的M&A战略所带来的增效。
在功率器件展区,展出了被罗姆视为下一代半导体业务的核心技术之一的SiC器件产品注2。其中包括已经投入量产的SiC肖特基二极管,研发中的高耐热智能功率模块,以及即将进入市场SiC MOSFET等新产品、新技术。为了确保高品质的SiC晶圆,罗姆于2009年收购了SiC晶圆供应商德国的SiCrystal公司作为晶圆生产基地,而前期和后期工序都集中在罗姆的集团公司完成,借此确立了SiC器件一条龙的生产体系。从而最大程度地发挥增效,满足混合动力汽车、电动汽车、风力发电等市场升温带来的对功率器件的需求。
在LED照明展区,罗姆推出集团公司OKI SEMICONDUCTOR新产品---符合ZigBee®RF4CE协议注3的RF遥控器用IC。新产品内置8×8KeySCAN电路,支持带有64个按键的遥控器,可以实现低功耗RF遥控器。此外,还有罗姆正在开发中的1W/3W LED、对应可控硅调光的LED照明用驱动IC、对应可控硅调光的LED照明用电源等。
在英特尔® 凌动™ 处理器E600系列专用芯片及参考板展区,为国内专业观众展示了以美国英特尔®公司嵌入式处理器“英特尔® 凌动™ 处理器 E600系列”为应用对象的芯片组以及参考版。芯片组由3部分构成,分别是①Input-Output Hub LSI (IOH) (车载信息娱乐系统专用、IP媒体电话专用的2种机型)、②芯片组电源管理LSI(PMIC)、③时钟发生器LSI(CGIC),IOH的2种机型由罗姆集团公司OKI SEMICONDUCTOR开发,电源管理LSI和时钟发生器LSI则由罗姆负责研制,此次开发实现了芯片组所需3种机型的体系化,使 “英特尔® 凌动™ 处理器 E600系列”的性能得到最大限度的发挥。使用这些芯片组的参考板也已完成,可向客户供应产品。这是罗姆与集团公司OKI SEMICONDUCTOR集中综合实力而取得的成果。
与此同时,罗姆在展会同期举办的“电源专家论坛节能专题”上,围绕“英特尔® 凌动™ 处理器E600系列专用芯片及参考板”主题,与众多专业听众展开积极互动,现场气氛热烈。
在传感器展区,展出了罗姆集团公司Kionix 的产品“加速度传感器”。罗姆自2009年合并了在加速度传感器领域表现出色的美国Kionix公司后,进一步巩固了罗姆在传感器领域的实力。目前,传感器最大的应用领域之一是手机,其主要需求为光感传感器、接近传感器、加速度传感器等,未来罗姆也会根据市场需求,考虑推出光感传感器、接近传感器与加速度传感器集成的“三合一”芯片。此外,作为面向医疗、健康等新领域的项目,展出“生物产品系列”,仅仅用一滴血液就可以完成血液检查,其精度可与大医院的大型检测装置相匹敌。您还可以看到融合了罗姆传感技术的、根据危险频带可以检测紫外线对人体和皮肤的影响的“UV(紫外线)传感器”、作为可以随时随地便捷检测健康状况的“可穿戴式脉搏传感器”等创造安全、健康、安心生活的生物和医学元器件。
此外,从应用角度介绍从车载用高可靠性元器件到新一代新产品的“车载/汽车音响”展区、广泛介绍从细节之处支持大众舒适生活的“通用部件展区”、“手机/便携设备展区”、“白色家电展区”以及“TV/面板展区”均以其先进技术而吸引行业内外人士驻足参观。
*注1【罗姆在中国国内锁定的三大产品线】
一是LED,从LED驱动、LED背光再到LED照明产品,进行产业链全线贯通。二是下一代功率器件,主要应用SiC新材料开发SBD(肖特基二极管)和SiCMOSFET(半导体场效应管)。三是传感器,开发应用广泛的MEMS加速度 传感器等。
注2【SiC器件】
SiC(碳化硅)又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。硅作为一种完禁带半导体材料,不但击穿电场强波高、热稳定性好,还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件。碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)以及碳化硅场效应器件,是当前比较典型的碳化硅电力电子器件。
注3【ZigBee®RF4CE协议】
Zigbee是一种新兴的短距离、低速率、低功耗无线网络技术,是介于无线标记技术和蓝牙之间的技术提案。ZigBee®RF4CE是取代红外线遥控器的下一代家用电器遥控协议标准,其标准核心基于ZigBee和IEEE 802.15.4。