联电MEMS感测芯片成功产出

晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年，19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片，预计2011年投入量产。

联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证，讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平，其性能极具国际竞争力，预计将于2011年上半年提供工程样品，接著便能进入量产。CMOS-MEMS加速度计的产品开发也己符合消费性电子产品之应用规格 (1g ~16g)，其功能也达量产的目标。

联电指出，除已与多家客户合作开发各样的MEMS芯片和高度集成的CMOS-MEMS产品，扩展微机电传感器于生活或环境监测之高阶应用之外，联电也以自身多样性的CMOS制程技术，提供微机电专用ASIC芯片之专工服务，以支持各种微机电应用。

联电表示，MEMS技术开发是一项极大挑战，目前已有不错成果;客户MEMS麦克风元件已完成功能验证，讯噪比可达56dBA以上，预计今年上半年提供工程样品，随即可导入量产。

联电MEMS加速度计产品开发也已符合消费性电子产品的应用规格，功能也达量产目标;此外，联电也与多家客户合作开发各样MEMS芯片产品，扩展微机电传感器在生活或环境监测的高阶应用。

联电表示，随著MEMS传感器应用日益普及，MEMS专工服务需求急遽增加，联电未来将开放MEMS技术，提供产业及学术界开发新元件。