国家政策明确高速光器件与芯片技术优先发展

据工信部网站消息显示，工信部近日印发了《产业关键共性技术发展指南(2013年)》。明确将“高速光通信关键器件和芯片技术”、“宽带光通信技术”列入优先发展的范畴，将利好光通信厂商。

业界多位光通信专家均表示，核心光器件和芯片技术研发是我国在光通信急需提升的一大领域。国际经验表明，高端光器件产品将是未来光器件行业的发展方向。

目前，高端的关键芯片技术掌握在国外公司手中，国内的高端器件生产受到严重制约。芯片国产化、高端化不仅能提升光通信厂商的竞争力，还能提高其利润率。工信部此举将利好光迅科技为代表的光通信厂商。

不久前，由光迅科技牵头的《通信光电子器件的关键工艺与支撑技术研究》项目已顺利完成，该项目解决了制约我国光通信产业发展的瓶颈――“空芯化”问题。据悉，公司10Gb/sADP芯片于2013年Q3进入大批量生产阶段。

“芯片受制于人是公司进入高端市场的重大瓶颈，主要竞争对手垄断了高端芯片，公司受制于芯片供应，特别是高端的40G、100G产品难以量产。”一位匿名分析师如此表示。

资料显示，“高速光通信关键器件和芯片技术”主要技术内容包含：窄线宽可调光源、调制及驱动器件、集成相干接收机、高速率模数转换芯片、高速信号处理算法处理芯片和增强型FEC芯片、成帧及复接芯片、40Gb/s和100Gb/s客户侧模块等。

“宽带光通信技术”主要技术内容包含：高速光传输技术;光电交换技术和光网络控制平面技术;以无源光网络(PON)为代表的宽带光接入技术。