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[导读]随着人们对消费电子如数码相机、便携式音乐播放器、智能手机、平板电脑、固态硬盘等需求的日益增长,大容量、高速度、小体积、便携性以及较低价格等因素使NANDFlash一举成为目前乃至未来一段时间中高容量闪存甚至存储

随着人们对消费电子如数码相机、便携式音乐播放器、智能手机、平板电脑、固态硬盘等需求的日益增长,大容量、高速度、小体积、便携性以及较低价格等因素使NANDFlash一举成为目前乃至未来一段时间中高容量闪存甚至存储领域的主要芯片。在短短的十年时间里,NANDFlash市场出现了近十倍的高速增长。2012年,全球经济持续疲软、NANDFlash产品价格持续走低,SSD市场增长乏力等诸多因素的影响,全球NANDFlash出现近三年来的首次负增长,市场规模198.6亿美元,同比2011年大幅下滑9.3%。但随着智能手机、平板电脑和SSD的强劲消费需求,预计到2015年全球NANDFlash市场达289.1亿美元,未来三年的年平均增长率为13.4%。

图12008-2015年全球NANDFlash市场规模

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从2012年全球NANDFlash市场品牌结构来看,SamsungElectronics以38.7%的份额排名市场第一,战略合作紧密且共同投资建设NANDFlash工厂的Toshiba和Sandisk公司以53.8亿美元的合计销售额位列第二,占据27.1%市场份额。



图22012年全球NANDFlash市场品牌结构(按销售额,单位:亿美元)

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目前,中国已经成为全球最大的NANDFlash市场,这得益于其全球电子信息制造业中心地位。中国手机、闪存卡和闪存盘产量占全球产量的约70%,平板电脑产量占全球产量的90%以上。在快速增长的消费电子终端产品带动下,国内NANDFlash市场规模也在逐年迅速扩大。2012年中国NANDFlash闪存市场销售额为633.7亿元,比2011年增加0.3%,强于全球市场。

图32008-2015年中国NANDFlash市场规模及预测

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根据存储单元的不同,NANDFlash目前可以分为SingleLayerCell(SLC)、Multi-LevelCell(MLC)和Triple-LevelCell(TLC)三类,产品价格成倍依次递减。短时间内MLC仍会是主流产品,SLC将继续在企业级、服务器市场领域存活;随着TLC性能的提升,其将成为未来中低端领域NANDFlash的主要产品。2012年SLC市场销售额为39.9亿元,占6.3%的市场份额;MLC市场销售额为447.4亿元,占70.6%的市场份额;TLC市场销售额为146.4亿元,占23.1%的市场份额。

从品牌结构来看,SamsungElectronics以37.5%的份额排名市场第一,Toshiba/Sandisk市场份额则位列第二。

图42012年中国NANDFlash市场品牌结构(按销售额,单位:亿元)

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在国内市场,NANDFlash主要用于FlashCard(闪存卡)、Handset(手机)、Tablet(平板电脑)等领域。

图52012年中国NANDFlash市场应用结构(按销售额,单位:亿元)

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2012年,中国应用于闪存卡的NANDFlash销售额达166.0亿元,同比降低10.6%。在国内闪存卡用NANDFlash市场中,Toshiba/Sandisk、SamsungElectronics是最有力的竞争者。2012年Toshiba/Sandisk在该领域的销售额为94.5亿元,占市场56.9%的份额;SamsungElectronics的市场占有率为15.1%。

应用于手机的NANDFlash销售额达136.9亿元,同比增长5.7%。在该领域市场中,SamsungElectronics市场占有率52.7%,销售额达72.1亿元,Toshiba/Sandisk和Hynix分别占据18.1%和15.2%的市场份额。

应用于平板电脑的NANDFlash市场规模达116.6亿元,同比增长38.7%。该领域市场,SamsungElectronics以39.1%的市场份额排名市场第一;Toshiba/Sandisk则以23.4%的市场份额排名第二。

预计未来三年,手机、平板电脑仍将是带动中国NANDFlash市场快速增长的主要驱动力。到2015年,中国应用于手机和平板电脑的NANDFlash市场将分别为271.7亿元和193.1亿元。

图62013-2015年中国NANDFlash市场应用结构预测(按销售额,单位:亿元)

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由于NANDFlash设备投入大、技术要求较高,目前全球主要的生产厂商均为IDM企业,如SamsungElectronics、Toshiba/Sandisk、Micron(美光)/Intel(英特尔)、Hynix、Powerchip(力晶)等。2012年NANDFlash大厂工艺制程大都采用20nm左右技术,并均计划2013年工艺制程要挺进至1Xnm发展,单颗芯片的面积将进一步减少,从而导致芯片价格大幅降低。2012年4月,三星宣布在西安建设闪存芯片工厂,项目总投资300亿美元,预计建成后月产能达10万片,这将是三星在韩国本土以外最大的NANDFlash工厂,技术线程在1Xnm级别。

未来市场仍掌握在这些拥有核心技术的国际大厂手中,各厂商的竞争呈现此消彼长的现象。随着芯片价格的降低以及消费电子的不断推陈出新,直接刺激NANDFlash在各应用终端上的大量应用。与此同时,不少国际企业纷纷将其生产环节迁至中国,不仅因为中国是重要的制造大国,而且是NANDFlash的消费大国。[!--empirenews.page--]

目前,中国智能手机消费市场约占全球市场的四分之一,平板电脑消费市场约占全球市场的15%,而且其比重还在不断上升。因此在全球NANDFlash市场缺乏新增长点的时候,未来中国NANDFlash市场风景这边独好。

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