尔必达在台湾设立DRAM研发中心

时间：2011-09-20 10:49:26

关键字： DRAM 研发中心尔必达电子

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[导读]台湾经济部近来核定通过“尔必达-瑞晶后里技术研发中心计划”，该计划重点主要是借重其制程模块、元件及整合相关技术发展40奈米以下4F2架构下之存储器制程，以透过技术移转、学研界共同开发及人员训练等，促使台湾厂

台湾经济部近来核定通过“尔必达-瑞晶后里技术研发中心计划”，该计划重点主要是借重其制程模块、元件及整合相关技术发展40奈米以下4F2架构下之存储器制程，以透过技术移转、学研界共同开发及人员训练等，促使台湾厂商有机会掌握自有关键技术，并提升台湾在DRAM产业技术之国际地位。

先前为因应全球金融海啸之冲击，DRAM厂商大多采取策略联盟方式，日商尔必达(Elpida)亦积极与台湾厂商接洽，更与力晶科技合资设立瑞晶电子，此举系尔必达首次于海外进行DRAM制程技术之研发。尔必达以其优异之DRAM研发技术实力，结合瑞晶电子所具备之产能规模、生产效率、成本控制能力及研发人力等优势，再加上台湾力晶科技及华邦电子等公司杰出之商品化能力，透过该研发中心所建置之平台，形成具竞争力之联盟，并可望进一步带领台、日企业联手整合上下游供应链，以共同提升两国产业竞争力。

台经济部自2002年以来推动“鼓励国外企业在台设立研发中心计划”，本计划系配合国内产业技术发展趋势与需求，争取国际大厂及研发机构来台设立研发中心，以强化研发创新体系国际连结，提升重点领域之前瞻技术开发，并厚植高阶研发人力，目前已促成35家国际大厂与研发机构来台设立50家研发中心。因应日本311震灾，经济部加强鼓励日商引进关键技术，以扩大在台研发投资，分散其天然灾害风险，故今年将重点推动地区调整为日本及欧盟。