突破技术藩篱台湾加入NAND Flash战局

时间：2010-12-16 11:35:23

关键字： Flash NAND 存储器 RAM

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[导读]台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研发出

台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光，由于既有NANDFlash技术在20纳米制程以下面临天险，全球大厂纷竞逐下世代技术，近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器厂及晶圆代工厂加入，首波会先洽谈台系存储器厂，目标5~10年内将此技术导入量产，让台湾正式加入NANDFlash产业战局。

NANDFlash技术在20纳米制程以前，台湾存储器业者完全没有参与权，因为相关技术和专利都被国际大厂所掌控，但在20纳米制程以下，传统浮动闸(FloatingGate)技术出现天险，面临储存电子数越来越少问题，NANDFlash技术出现大变革，各种下世代存储器陆续问世。目前新世代存储器技术架构包括PRAM(PhaseChangeRAM)、MRAM(MagneticRAM)、R-RAM等，暂无法确定谁能胜出，存储器龙头厂三星电子(SamsungElectronics)由于资源庞大，几乎各种技术都投入研发。

这次NDL完成全球最小的9纳米存储器，系采用R-RAM技术为架构，已于12月在美国旧金山所举行国际电子元件会议(IEDM)正式发表，NDL在实验室成立1条产线做研发，未来希望能再建1条产线，最终目标是希望将这个9纳米产品导入12寸或18寸晶圆厂，作为量产产品。另外，目前布局R-RAM技术业者还包括英特尔(Intel)、新帝(SanDisk)、三星、IBM等。

NDL计划成立“16-8纳米元件联盟”，作为NANDFlash技术平台，并成为台厂未来发展新世代NANDFlash技术的专利后盾，此联盟预计2011年下半正式成立，将广邀存储器厂和晶圆代工厂加入，首波邀请对象为存储器业者，包括旺宏、华邦、力晶、瑞晶、南亚科、华亚科、茂德等。

由于考量到联盟组织最后易沦为口号，且大部分业者不愿将最顶尖技术贡献到台面上，因此，未来此联盟将设计多种模式，鼓励业者及各方研究菁英加入，象是缴交权利金换取专利使用权、技术合作等，未来目标是仿效IBM华生研究中心(ThomasJ.WatsonResearchCenter)，专门培育半导体人才。

NDL强调，学界主要专注于研发和布局累积专利数量，未来要导入量产仍是要靠业界，目前9纳米产品雏形已具备，但要导入8寸或12寸晶圆厂才是挑战开始，目标是希望5~10年内可进入量产，让台湾正式加入NANDFlash产业战局。