联电65纳米eFlash制程抢先问世

时间：2010-11-30 10:13:00

关键字： Flash 联电美高森美 FPGA

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[导读]抢在台积电之前，联电日前率先与合作伙伴美高森美(Microsemi)共同发布首款采用65纳米嵌入式快闪(EmbeddedFlash,eFlash)制程技术生产的现场可编程门阵列(FPGA)平台，让eFlash制程技术顺利迈入65纳米世代，对其未来进一

抢在台积电之前，联电日前率先与合作伙伴美高森美(Microsemi)共同发布首款采用65纳米嵌入式快闪(EmbeddedFlash,eFlash)制程技术生产的现场可编程门阵列(FPGA)平台，让eFlash制程技术顺利迈入65纳米世代，对其未来进一步拓展汽车、工业、医疗及航天等半导体市场将大有帮助。

美高森美系统单芯片产品事业群资深营销及业务副总裁JayLegenhausen表示，65纳米eFlash技术对该公司产品安全性、可靠性与整合度的提升均大有帮助。

甫于日前收购爱特(Actel))的美高森美系统单芯片(SoC)产品事业群资深营销及业务副总裁JayLegenhausen表示，相较前一代技术，该公司采用联电65纳米eFlash制程的新一代FPGA平台，在逻辑密度、效能及功耗表现上均更为出色，因而能满足工业、医疗、军事、航天、通讯和消费市场更多的设计要求。

目前，美高森美已自联电成功取得首个硅晶圆样品，并着手与商业和工业市场的特定客户展开先导计划，全力协助这些客户顺利进行导入设计。

事实上，在尚未被美高森美购并前，爱特便与联电在eFlash制程上拥有相当密切的合作关系，该公司采用130纳米eFlash制程开发的IGLOO低功耗FPGA即是由联电所生产。此次，联电一举将eFlash制程推进至65纳米，不论对该公司或半导体业界而言，均具有重大意义。

据了解，包括台积电与意法半导体(ST)先前也都公开表示已投入65纳米及55纳米eFlash技术开发。台积电系于2009年底与英飞凌(Infineon)宣布将共同研发65纳米eFlash制程，以开发符合更严苛质量要求的车用微控制器(MCU)及更高安全性的芯片卡，预计将于2012年下半年完成相关产品与制程验证工作;而意法半导体则是投入55纳米eFlash制程研发，同样也将用于车用MCU生产，预计2011年中可开始提供样品。