举债扩产非台湾DRAM产业生存之道
时间：2010-08-20 15:06:16
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[导读]过去台湾在DRAM产业上的主要技术合作来源包括日本、美国、南韩和德国，这几大阵营各自在制程技术上有很大差别，最大差别在于德系业者采用沟槽式(Trench)制程技术，在这一波金融风暴洗礼之下，成为被淘汰的阵营。当年
过去台湾在DRAM产业上的主要技术合作来源包括日本、美国、南韩和德国，这几大阵营各自在制程技术上有很大差别，最大差别在于德系业者采用沟槽式(Trench)制程技术，在这一波金融风暴洗礼之下，成为被淘汰的阵营。
当年各厂面临沟槽式和堆栈式(Stack)技术的十字路口时，日系东芝(Toshiba)、德系西门子(Siemens)和美系IBM都决定选择发展沟槽式技术，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)则是押宝堆栈式技术。
沟槽式技术瓶颈浮现仅西门子继续发展
随着半导体技术制程微缩进度到了90纳米以下，东芝和IBM渐渐面临技术瓶颈，因此这两家公司率先决定退出DRAM产业，唯一选择继续做下去的是西门子，之后西门子将半导体部门独立为英飞凌(Infineon)，最后是将内存事业群独立成为奇梦达(Qimonda)，当时奇梦达也感受到沟槽式制程的瓶颈压力，但还是继续往下微缩。
DRAM技术在90纳米制程以下，最关键的分界点就是沟槽式和堆栈式的机器设备，必须采用不同的设计方式。奇梦达知道设备商支持开发技术的重要性，因此就要求美商应用材料(AppliedMaterials)等关键设备商，一定要持续开发沟槽式机器设备，以免设备端的资源全倒向堆栈式技术制程。
同时，奇梦达也积极拉拢台系DRAM厂，包括台塑集团旗下的南亚科、华亚科和华邦等加入奇梦达技术，让沟槽式技术的规模在全球有足够的产能，以能说服设备厂商继续生产。
半导体技术愈尖端设备商支持与否成关键
在半导体领域中，当制程技术越走越尖端时，材料设备就会有很大的不同，一旦更换技术阵营，机器设备几乎都要重新更换，如果DRAM业者制程技术都是延续同一个阵营，在机器设备的沿用性上也较有优势。
像现在尔必达(Elpida)和力晶、瑞晶等，从68纳米、65纳米到63纳米制程到下一世代的45纳米，都是维持同一技术基础，机器设备也都可以沿用下去。
再者，尔必达过去在50纳米研发上，曾经导入铜制程，但在新一代45纳米制程上，尔必达选择放弃铜制程，持续使用铝制程，这大概是全世界唯一在40纳米世代还能持续用铝制程的DRAM厂，尔必达甚至还想把铜制程继续沿用到38纳米制程，这对于成本结构的降低有很大的帮助。
整体来看，如果导入50纳米制程的业者，必须增加铜制程和浸润式微米曝光机台的投资，成本将增加30~35%，但50纳米相较63纳米增加的颗粒数却不到30%。
此外，像是在63纳米制程世代上，良率最高可以拉升至80~90%，但到了50纳米制程，即使是三星的良率要做到成本交*点(CrossOver)，顶多也只能拉到80%的良率，显见半导体产业制程技术越往下微缩，良率越来越难提升，投资与报酬率不如以往这么高。
简而言之，半导体业产业每一个世代制程越往下走，其投资金额却是越来越高，但产生的效应却是越来越有限，这是物理上的限制，也是半导体产业的一大挑战，尤其是在30纳米制程以下，此物理效应会更为明显。
DRAM产业由盛到衰2009年大衰退史无前例
回顾1999年以前，全球DRAM产业百花齐放，共计有14家DRAM厂，包括三星、美光(Micron)、IBM、现代、西门子、NEC、日立、三菱、东芝、力晶、茂德、南亚科、华邦、世界先进等，之后全球DRAM产业共经历4次大整合，第1次是2001~2002年之间，IBM、东芝退出市场，南韩的现代独立半导体事业部门成立海力士，日系阵营的NEC、日立、三菱也整合成尔必达等。
到了2003~2004年，全球DRAM产业更只剩下5大阵营，包括三星和海力士；茂德和尔必达；力晶和奇梦达；南亚科、华亚科和华邦；最后则是美光；然到了2007年后的这一波整合潮，全球5大阵营出现变化，南亚科和华亚科选择和美光结盟，与奇梦达同一阵营的只剩下华邦，这时只有三星仍单打独斗。
2009年这一波金融风暴，原因可推回2004~2006年期间，全球资本市场资金借贷非常宽松，每家DRAM厂都大举借贷来扩充产能，导致2008~2009年这一波有史以来最严重的衰退潮。
DRAM价格从2006年第4季1颗6美元，一路跌到2009年第1季只剩下0.6美元，几乎只剩10分之1的价格，也让全球所有DRAM厂都面临巨额亏损压力，多数DRAM厂只好把晶圆厂暂时停产，当时力晶13万片的12吋晶圆厂产能，减产到最低1个月只生产2万片。
奇梦达更在这次的衰退潮下宣布退出全球DRAM产业，剩下的4大阵营也出现转变，茂德从海力士阵营转投尔必达阵营，全球剩下三星、海力士、尔必达结合力晶、瑞晶、茂德和华邦，以及美光结合南亚科和华亚科等4大阵营鼎立。
以目前全球4大阵营12吋晶圆厂产能来看，尔必达自己厂房有10万片，加上力晶13万片，加上瑞晶8万片、茂德6万片，总共有37万片；而美光自己有8万片产能，加上南亚科3万片和华亚科13万片产能，共有24万片产能；三星、海力士则分别有32万片和26万片产能。
三星追求利润和ROE杀价竞争机率不高
受到金融风暴重击，2010年全球DRAM产业是史上头一遭没有任何1座新厂产能加入生产行列，但日前三星宣布要盖1座月产能20万片的半导体晶圆厂，引发市场相当大的疑虑和担忧。
深入了解，这座月产能20万片的晶圆厂涵盖3大项产品，包括60纳米以下的逻辑制程、NANDFlash和DRAM等，以三星目前市场规模和客户需求，其实不用担心新产房扩充会造成供过于求的后果。
再者，三星现在的策略是追求获利率和股东权益报酬率(ROE)为主，更不会希望把台湾这些DRAM厂都赶尽杀绝，如果只剩下三星在DRAM产业的市占率独大，未来恐面临美国反垄断诉讼。
面对未来台湾DRAM产业的发展策略，最重要的就是不能再像过去一样不断举债且盲目盖厂，再投资个500亿元让DRAM价格又跌一半，然后大家又再一次面临巨额亏损的磨难，这样的游戏以前力晶也是其中一员，但不能再重来一次，否则一旦面临景气反转直下时，背负的巨额负债问题，将会再度威胁到公司生存地位。
当年各厂面临沟槽式和堆栈式(Stack)技术的十字路口时，日系东芝(Toshiba)、德系西门子(Siemens)和美系IBM都决定选择发展沟槽式技术，其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星电子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)则是押宝堆栈式技术。
沟槽式技术瓶颈浮现仅西门子继续发展
随着半导体技术制程微缩进度到了90纳米以下，东芝和IBM渐渐面临技术瓶颈，因此这两家公司率先决定退出DRAM产业，唯一选择继续做下去的是西门子，之后西门子将半导体部门独立为英飞凌(Infineon)，最后是将内存事业群独立成为奇梦达(Qimonda)，当时奇梦达也感受到沟槽式制程的瓶颈压力，但还是继续往下微缩。
DRAM技术在90纳米制程以下，最关键的分界点就是沟槽式和堆栈式的机器设备，必须采用不同的设计方式。奇梦达知道设备商支持开发技术的重要性，因此就要求美商应用材料(AppliedMaterials)等关键设备商，一定要持续开发沟槽式机器设备，以免设备端的资源全倒向堆栈式技术制程。
同时，奇梦达也积极拉拢台系DRAM厂，包括台塑集团旗下的南亚科、华亚科和华邦等加入奇梦达技术，让沟槽式技术的规模在全球有足够的产能，以能说服设备厂商继续生产。
半导体技术愈尖端设备商支持与否成关键
在半导体领域中，当制程技术越走越尖端时，材料设备就会有很大的不同，一旦更换技术阵营，机器设备几乎都要重新更换，如果DRAM业者制程技术都是延续同一个阵营，在机器设备的沿用性上也较有优势。
像现在尔必达(Elpida)和力晶、瑞晶等，从68纳米、65纳米到63纳米制程到下一世代的45纳米，都是维持同一技术基础，机器设备也都可以沿用下去。
再者，尔必达过去在50纳米研发上，曾经导入铜制程，但在新一代45纳米制程上，尔必达选择放弃铜制程，持续使用铝制程，这大概是全世界唯一在40纳米世代还能持续用铝制程的DRAM厂，尔必达甚至还想把铜制程继续沿用到38纳米制程，这对于成本结构的降低有很大的帮助。
整体来看，如果导入50纳米制程的业者，必须增加铜制程和浸润式微米曝光机台的投资，成本将增加30~35%，但50纳米相较63纳米增加的颗粒数却不到30%。
此外，像是在63纳米制程世代上，良率最高可以拉升至80~90%，但到了50纳米制程，即使是三星的良率要做到成本交*点(CrossOver)，顶多也只能拉到80%的良率，显见半导体产业制程技术越往下微缩，良率越来越难提升，投资与报酬率不如以往这么高。
简而言之，半导体业产业每一个世代制程越往下走，其投资金额却是越来越高，但产生的效应却是越来越有限，这是物理上的限制，也是半导体产业的一大挑战，尤其是在30纳米制程以下，此物理效应会更为明显。
DRAM产业由盛到衰2009年大衰退史无前例
回顾1999年以前，全球DRAM产业百花齐放，共计有14家DRAM厂，包括三星、美光(Micron)、IBM、现代、西门子、NEC、日立、三菱、东芝、力晶、茂德、南亚科、华邦、世界先进等，之后全球DRAM产业共经历4次大整合，第1次是2001~2002年之间，IBM、东芝退出市场，南韩的现代独立半导体事业部门成立海力士，日系阵营的NEC、日立、三菱也整合成尔必达等。
到了2003~2004年，全球DRAM产业更只剩下5大阵营，包括三星和海力士；茂德和尔必达；力晶和奇梦达；南亚科、华亚科和华邦；最后则是美光；然到了2007年后的这一波整合潮，全球5大阵营出现变化，南亚科和华亚科选择和美光结盟，与奇梦达同一阵营的只剩下华邦，这时只有三星仍单打独斗。
2009年这一波金融风暴，原因可推回2004~2006年期间，全球资本市场资金借贷非常宽松，每家DRAM厂都大举借贷来扩充产能，导致2008~2009年这一波有史以来最严重的衰退潮。
DRAM价格从2006年第4季1颗6美元，一路跌到2009年第1季只剩下0.6美元，几乎只剩10分之1的价格，也让全球所有DRAM厂都面临巨额亏损压力，多数DRAM厂只好把晶圆厂暂时停产，当时力晶13万片的12吋晶圆厂产能，减产到最低1个月只生产2万片。
奇梦达更在这次的衰退潮下宣布退出全球DRAM产业，剩下的4大阵营也出现转变，茂德从海力士阵营转投尔必达阵营，全球剩下三星、海力士、尔必达结合力晶、瑞晶、茂德和华邦，以及美光结合南亚科和华亚科等4大阵营鼎立。
以目前全球4大阵营12吋晶圆厂产能来看，尔必达自己厂房有10万片，加上力晶13万片，加上瑞晶8万片、茂德6万片，总共有37万片；而美光自己有8万片产能，加上南亚科3万片和华亚科13万片产能，共有24万片产能；三星、海力士则分别有32万片和26万片产能。
三星追求利润和ROE杀价竞争机率不高
受到金融风暴重击，2010年全球DRAM产业是史上头一遭没有任何1座新厂产能加入生产行列，但日前三星宣布要盖1座月产能20万片的半导体晶圆厂，引发市场相当大的疑虑和担忧。
深入了解，这座月产能20万片的晶圆厂涵盖3大项产品，包括60纳米以下的逻辑制程、NANDFlash和DRAM等，以三星目前市场规模和客户需求，其实不用担心新产房扩充会造成供过于求的后果。
再者，三星现在的策略是追求获利率和股东权益报酬率(ROE)为主，更不会希望把台湾这些DRAM厂都赶尽杀绝，如果只剩下三星在DRAM产业的市占率独大，未来恐面临美国反垄断诉讼。
面对未来台湾DRAM产业的发展策略，最重要的就是不能再像过去一样不断举债且盲目盖厂，再投资个500亿元让DRAM价格又跌一半，然后大家又再一次面临巨额亏损的磨难，这样的游戏以前力晶也是其中一员，但不能再重来一次，否则一旦面临景气反转直下时，背负的巨额负债问题，将会再度威胁到公司生存地位。
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