南亚科、华亚科三度上修资本支出　提前布局42纳米

时间：2010-07-23 13:38:39

关键字： DRAM 美光尔必达 MICRON

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[导读]台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科在50纳米制程转换吃足苦头，第2季仍处于亏损状态，近期决定全面加速转进42纳米，南亚科42纳米制程更将抢先在2010年第4季进入量产，全力转亏为盈，并共同宣布三度上修资本支出，南亚

台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科在50纳米制程转换吃足苦头，第2季仍处于亏损状态，近期决定全面加速转进42纳米，南亚科42纳米制程更将抢先在2010年第4季进入量产，全力转亏为盈，并共同宣布三度上修资本支出，南亚科从新台币220亿元提升至300亿元，华亚科则从520亿元提升至580亿元，2010年合计资本支出近900亿元，让其它DRAM厂望尘莫及。

南亚科和华亚科2010年从奇梦达(Qimonda)70纳米沟槽式(Trench)技术，转进至美光(Micron)50纳米堆叠式(Stack)技术，可说是吃足苦头，眼睁睁看着尔必达(Elpida)阵营的力晶和瑞晶上半年交出亮丽获利成绩单，南亚科和华亚科第2季仍处于亏损，因此，2家公司决定加速42纳米制程量产，将成本降到最低，试图挽回获利。其中，南亚科与美光共同研发42纳米制程是50纳米微缩版，已在6月初试产，并于7月成功产出，预计第4季进入量产。

南亚科和华亚科同步宣布三度调高2010年资本支出，创下金融风暴之后，台系存储器厂资本支出连3升的纪录，主要便是为将42纳米进度提前，将机台设备先拉进来。其中，南亚科2010年初最早预定资本支出仅190亿元，之后调升到220亿元，近期最新出炉版本是300亿元，南亚科计划在第3季底办理上限6亿股现金增资，是2009年至今南亚科第4次大手笔募资计画。

华亚科2010年初原本规划资本支出为450亿元，之后提升至520亿元，近期宣布三度提升至580亿元，将部分2011年资本支出提前到2010年来执行，目的亦是为提早42纳米制程量产计画，华亚科计划9月试产42纳米，2011年中大量转进。

值得注意的是，针对40纳米世代应采用铜制程或铝制程，美光和尔必达阵营看法不同，南亚科表示，42纳米DRAM制程导入铜制程技术，其铜的导电性和可靠度均远优于铝制程，在未来更进一步微缩制程上，铜制程绝对更具竞争优势。另外，50纳米制程相较于70纳米可降低50%成本，而导入42纳米制程后，制造成本将比50纳米再降低30%，待2010年底大量转进42纳米制程，成本结构将相当具竞争力。