20纳米DRAM制程战火点燃　三星、SK海力士将量产

据韩联社报导，三星电子(SamsungElectronics)将在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量产，SK海力士(SKHynix)则紧追在后。20奈米4GbDRAM生产走进现实，往次世代10奈米级DRAM制程发展的技术竞争也即将展开。沉寂一时的半导体制程微细化竞争，再度点燃火焰。

半导体业者的奈米技术竞争关键在能以晶圆制造出多少电路集成度高的晶片。直径30公分的基板上，能制造出200颗晶片还是400颗晶片，将决定生产性和获利性差异。

半导体微细制程在2012年下半成功研发出25奈米DRAM制程后，在近1年6个月的期间几乎是原地踏步的状态。

在晶圆上形成超精密设计图的曝光技术，为制程微细化关键。次世代曝光设备极紫外线微影(EUV)设备为每台要价约1,000亿韩元(约9,352万美元)的高价设备，不可能每条产线都配置数十台设备。这也使得曝光技术变成一个高门槛，半导体业者难以转换到25奈米以下制程。

然而，三星电子以改良型双重微影曝光技术，成功生产20奈米DRAM，逆转市场情势。三星电子接着已跨入10奈米级DRAM前导研发，展现出满满的自信。

三星DS部门旗下记忆体事业部长金奇南，在2月就任南韩半导体产业协会长时表示，半导体技术没有所谓的界限。微细制程将可发展到10奈米级。

而过去致力于架构25奈米DRAM生产体系的SK海力士(SKHynix)，也期待在2014年下半投入20奈米制程量产。SK海力士内部人员表示，20奈米DRAM研发作业进行得相当顺利，下半年可望实现以20奈米制程生产DRAM。

外电引用市调机构DRAMeXchange资料指出，以记忆体业者的微细制程比重来看，三星电子2013年第4季时28奈米DRAM占32%、25奈米DRAM占28%。SK海力士则以29奈米制程为主，生产比重占68%。整并了尔必达(Elpida)的美光(Micron)则以30奈米制程为主，生产比重达96%。

2014年第1季预估三星电子将转以25奈米制程为主，比重为45%。但三星电子若照计划投入20奈米量产，预估值将出现变化。

外电再以市调机构iSuppli资料指出，三星电子25奈米制程比重2014年第1季为10%、第2季为17%。SK海力士25奈米制程比重为第1季1%、第2季6%。SK海力士在2014年第4季时，25奈米制程比重将提升到26%。[1][2]下一页