新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈

SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就是说，能够削减成本。

由于沟道型MOSFET具有以上特点，日本各半导体厂商将其视作“可充分发挥SiC优势的晶体管第一候选”，正式开始进行研究开发。这一动向在2013年9月29日～10月4日举行的SiC相关国际学会“ICSCRM2013”上得到了充分体现。在此次会议上，各企业纷纷发表了沟道型SiCMOSFET的最新开发成果。比如罗姆、住友电气工业及三菱电机等。其中，罗姆在实用化方面似乎走在前列。该公司将在2014年上半年推出栅极和源极都设有沟道的“双沟道型”SiCMOSFET。

SiC备受汽车行业的期待。比如，电装正在自主研发SiC基板和功率元件。当然，该公司也在开发沟道型MOSFET，并宣布将于2015年推出产品。

日本各大企业纷纷开展GaN功率元件业务

GaN功率元件方面，日本各大企业相继发布了新产品，还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中，变化较大的是耐压600V的GaN功率晶体管(参阅本站报道)。耐压600V的功率晶体管能够应用于空调、电磁炉等白色家电，混合动力汽车和纯电动汽车的逆变器，光伏逆变器及工业设备等输出功率在数百～数万W的功率转换器。

以前，GaN功率晶体管的耐压大都在200V以下，耐压600V的产品达到实用水平的只有美国Transphorm公司一家。进入2013年，松下和夏普宣布涉足GaN功率元件业务，前者于2013年3月开始样品供货耐压600V的产品，后者于2013年4月开始样品供货耐压600V的产品。此外，国际整流器公司(IR)公司及EPC公司也在为实现耐压600V产品的实用化而进行研发。

富士通半导体也已开始样品供货GaN功率晶体管，该公司于2013年11月与Transphorm公司签订了合并GaN功率器件业务的协议。双方的业务合并后，将由Transphorm开发GaN功率器件，由富士通半导体制造。

亚洲企业也纷纷涉足

前面提到的企业只不过是其中一小部分，另外还有很多企业着手研发GaN功率元件，准备开展相关业务。今后在从事GaN功率元件的半导体厂商之间，估计会展开激烈的价格竞争。

尤其是韩国、中国大陆和台湾等亚洲半导体厂商全面涉足GaN功率元件业务之后，价格竞争将更为激烈。GaN功率半导体的生产能够沿用过去生产逻辑IC等产品使用的支持6～8英寸Si基板的生产设备以及面向LED引进的GaN类半导体外延设备等，这将推动亚洲企业涌进该市场。

实际上，在2013年5月举行的功率半导体相关国际会议“ISPSD2013”上，中国大陆、台湾、韩国等亚洲企业纷纷发布了GaN功率元件方面的研究成果。其中，三星电子的成果备受关注。该公司已在口径200mm(8英寸)的Si基板上试制出了GaN功率晶体管。

三星电子最近在致力于功率半导体领域的研发。该公司于1998年将功率IC部门卖了飞兆半导体，但在2年前又成立了功率半导体部门。

不仅是GaN功率半导体领域，在SiC功率半导体领域，日本以外的亚洲企业的实力也在逐渐增强。实际上，准备生产SiC基板和二极管的企业越来越多，表现尤为突出的是SiC基板领域。

比如，在前面提到的ICSCRM2013上，北京天科合达蓝光半导体有限公司、山东天岳先进材料科技有限公司及韩国SKC公司均宣布在开发口径150mm(6英寸)的SiC基板。就在几年前，亚洲企业中涉足该领域的只有北京天科合达蓝光这一家，如今形势已经改变。

2014年，在功率半导体领域也要关注亚洲企业的动向。