应材：移动装置主导未来市场

全球最大半导体设备厂应用材料全球副总裁暨台湾区总经理余定陆昨（5）日表示，2013年行动装置正以强大成长力道主导未来科技市场，也带动半导体厂的制程升级及产能投资，其中，晶圆代工厂及NANDFlash厂的制程升级，将为设备市场带来25~35％的成长动能。

根据应用材料的预估，2006~2008年间全球前段晶圆制造设备市场年度平均规模约300亿美元，最大的投资者为DRAM厂，但至2010~2012年间，市场年度平均规模上升至325亿美元，晶圆代工厂已跃升为最大投资者，而此一趋势将持续延续到2013~2016年，市场年度平均规模将达320~350亿美元。

余定陆表示，2006年时行动装置出货量只占PC出货量的三分之一，但随着智能型手机销售在2010年后呈现爆炸性成长，2012年时行动装置出货量已是PC的2.3倍，随着各大系统厂在未来几年将再推出包括智能手表或智能眼镜等更多种类的行动装置，预估至2016年时行动装置的出货量将高达20亿支，是PC市场的5.7倍。

行动装置及PC采用的芯片最大不同，在于行动装置对低功耗的要求特别高，但却要求更高的运算速度，加上行动装置带来的巨量资料（bigdata）庞大商机，余定陆指出，未来2年内资料使用量及生产量还会再增1倍，而且智能穿戴装置的推出及人机接口的持续进步，控制功能也会由触控延伸到语音、手势等感测功能，需要更大的运算能力，也会推动芯片制程的快速演进。

随着制程微缩到28纳米，提升晶体管效能的关键，已经由过去的微缩（litho-scaling），转变为材料与结构上的创新，如晶圆代工厂28纳米开始采用高介电金属闸极（HKMG）技术，16/14纳米将进入3D晶体管架构，而NANDFlash则已经在今年先走上3D架构。

余定陆指出，晶圆代工厂及NANDFlash厂的升级需求，将会是未来几年设备市场主要成长动能，如晶圆代工厂由32/28纳米升级到16/14纳米的鳍式场效晶体管（FinFET），及NANDFlash厂由2D转为3D，均将为设备市场带来25~35％的成长动能。