美国国防先期研究计划局支持开发三维芯片制冷技术

时间：2013-04-09 12:06:31

关键字：芯片高功率器件集成电路

手机看文章

扫描二维码
随时随地手机看文章

[导读]日前，乔治亚理工学院的研究人员正在开发三维芯片制冷技术，比当前制冷系统的散热能力提高10倍。乔治亚理工学院的研究人员已经获得美国国防先期研究计划局（DARPA）价值290万美元的合同，开发三维芯片制冷技术。新技

日前，乔治亚理工学院的研究人员正在开发三维芯片制冷技术，比当前制冷系统的散热能力提高10倍。

乔治亚理工学院的研究人员已经获得美国国防先期研究计划局（DARPA）价值290万美元的合同，开发三维芯片制冷技术。新技术需要有效管理芯片上的热点，消除比器件其余部分更多的单位功耗。

若研制成功，新的制冷技术将与嵌入到未来军事系统中的高性能集成电路相结合。

乔治亚理工学院机械工程学院教授约根德拉·乔希表示，“采用现有技术实在没有散热的好办法，而且随着计算功率和芯片性能的持续增长，问题正在变得更加糟糕，需要制定计划，解决在极高功率损耗区只有几平方毫米的情况下整个芯片上的高功率问题。”

乔希表示，安置于系统中的芯片将工作于苛刻环境，或制冷技术需求不断增长的严苛环境。

研究团队的另一名成员，乔治亚理工学院电子和计算工程学院的助理教授默罕默德·巴克尔视新技术为未来所有电子装置增强制冷性能和能量效率的可行步骤。

“众所周知，制冷是电子系统设计中的关键问题，”他表示，“电子系统配置良好，却无法实现预期性能，通常是由于缺乏适当的制冷能力。该项目将研制新型微尺度散热技术，用于解决未来异质纳米电子系统最需要解决的散热问题，并将使性能和能量效率达到新水平。”