维持28奈米竞争力联电2014年前资本支出恐难降

时间：2012-04-23 11:33:42

关键字：联电台积电 HP

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[导读]手机晶片大厂高通(Qualcomm)于18日美股盘后发布2012会计年度第2季(2012年1-3月)财报，单季营收、本业每股稀释盈余分别创下新高，不过由于28奈米产能短缺，高通预估本季营收将季减5.9%来到46.5亿美元、本业每股盈余则

ce="Times New Roman">手机晶片大厂高通(Qualcomm)于18日美股盘后发布2012会计年度第2季(2012年1-3月)财报，单季营收、本业每股稀释盈余分别创下新高，不过由于28奈米产能短缺，高通预估本季营收将季减5.9%来到46.5亿美元、本业每股盈余则将落在0.83-0.89元区间，低于分析师原先预期。在台积电(2330)28奈米产能已满、且确定调高今年资本支出的情况下，同样拿下高通28奈米订单的联电(2303)，扩产动作势必也不能停。法人估，联电若要维持28奈米竞争力，至少到2014年为止，每年都要有20亿美元左右的资本支出，唯如此一来2012-2014年的年复合折旧成长率可能会超过1成，势必对公司获利造成冲击。

法人指出，联电的28奈米HPL(高效能/低功耗，high-performance-low-power)制程将在今年第三季量产，客户包括高通、网通晶片大厂博通(Broadcom)、美满(Marvell)等，估计联电在先前法说会提出，28奈米制程今年底之前占营收比重5%的目标可望达阵。而在28奈米HPM制程（行动高效能，high-performanceformobile）部分，则有机会于2013年中量产。

不过，外资巴黎证券，则指出联电在多晶矽氮氧化矽(PolySiON)28奈米技术的几个隐忧，包括：第一，产业已渐走向高介电常数/金属闸极(high-kmetalgate/HKMG)技术，相对而言多晶矽氮氧化矽属「利基」(niche)型市场，规模较小；第二，联电在产能布建上的态度显得保守，通常都是在客户承诺确定订单后才决定扩产，对某些注重产能调度弹性的客户可能较缺乏吸引力。而联电若要加紧朝高介电常数/金属闸极技术转换，势必需要更高的资本支出，也让其在短期内，难以在先进制程布局追上台积电。

而联电也将于4月25日举办法人说明会，届时将对第二季展望、今年资本支出是否调整，以及28奈米制程进度有更进一步的说明。