飞兆与英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

时间：2012-02-09 11:27:24

关键字：功率MOSFET 英飞凌飞兆封装

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[导读]飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)和英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench非对称结构功

飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)和英飞凌科技(InfineonTechnologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。

飞兆半导体PowerTrench非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分，为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。

这一兼容协议是两家公司在2010年达成的协议的扩展，旨在为客户保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的非对称结构功率级双MOSFET专业技术，以处理30A以上应用并增加功率密度。

飞兆半导体消费、通信和工业低压产品副总裁兼总经理JoeMontalbo表示：“我们非常高兴与英飞凌科技公司合作，进一步巩固PowerTrench技术。这一合作配合使用标准化的封装引脚，将帮助提升该产品线的价值并提高其对客户的吸引力。”

英飞凌科技低压功率转换产品高级主管RichardKuncic称：“飞兆半导体和英飞凌实现了封装引脚的标准化，为计算、电信及服务器市场的客户提供了满足高效设计需求的稳定供应链。通过封装统一，客户可以采用多来源的行业标准封装来提供性能领先的产品。”