三星电子宣布投资104亿美元的最新闪存生产线开始量产

时间：2011-09-26 11:24:07

关键字：三星电子闪存芯片 NAND CHIP

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[导读]全球最大内存芯片厂商三星电子日前宣布，最新1条闪存芯片（flashmemorychip）产线开始量产，将提升平板计算机和智能型手机所需芯片产能。此外，采用20纳米制程技术的先进DRAM芯片产线也已启动生产。三星斥资12兆韩元

全球最大内存芯片厂商三星电子日前宣布，最新1条闪存芯片（flashmemorychip）产线开始量产，将提升平板计算机和智能型手机所需芯片产能。此外，采用20纳米制程技术的先进DRAM芯片产线也已启动生产。

三星斥资12兆韩元（约104亿美元），自去年5月开始建造新厂。董事长李健熙在华城新厂开幕仪式上现身，他表示全球半导体产业正经历剧烈的循环波动，“我们必须进一步提升技术能力，以因应半导体业一场更激烈的风暴，维持领导地位。”

三星指出，新产线的加入将大幅提升产能，同时亦可减少能源消耗。据市调机构IHSiSuppli数据显示，今年第2季三星在全球DRAM市场握有41.6％市占，同期在NAND型闪存市场，三星市占也同样为41.6％。

三星表示，将提高NAND型闪存芯片，以因应不断增长的需求，同时也可望于明年导入10纳米制造技术。南Kiwoom证券分析师李在允（音译）说：“三星最新技术进展，意谓着与台湾对手之间的技术差距更大，可能甚至会导致对手在明年初退出市场。”