全球晶圆和三星电子计划合作开发HKMG工艺 开放4座12吋晶圆厂供代工使用
时间：2011-09-05 11:38:26
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[导读]全球晶圆（GlobalFoundries）及三星电子决定针对28纳米高介电金属闸极（HKMG）制程进行合作，同时开放两方共4座12吋晶圆厂，让客户自由选择下单投片地点。三星及全球晶圆希望能争取到更多智能型手机或平板计算机等核
全球晶圆（GlobalFoundries）及三星电子决定针对28纳米高介电金属闸极（HKMG）制程进行合作，同时开放两方共4座12吋晶圆厂，让客户自由选择下单投片地点。
三星及全球晶圆希望能争取到更多智能型手机或平板计算机等核心芯片订单，特别是争取苹果A6或高通Snapdragon等ARM架构应用处理器代工订单，让台积电在扩展28纳米制程上，面临强大竞争压力。
事实上，包括三星、全球晶圆、IBM、意法半导体等4家半导体厂，去年中旬已宣布28纳米HKMG制程合作计划，并将旗下12吋厂制程进行同步，确保客户芯片设计能够在3个国家的多座晶圆厂内灵活生产，无需重新设计。
三星及全球晶圆此次推出的28纳米高性能低漏电制程（28nmLPH），主要锁定行动装置核心芯片市场，同样也采取晶圆厂同步计划，包括全球晶圆的德国德勒斯登（Dresden）Fab1、美国纽约Fab8，三星的韩国器兴S1、美国德州S2等4座12吋厂等，让客户自由选择投片地点，同时也能提高晶圆厂的整体利用率。
台积电先前已宣布推出代号为28HPM的28纳米新制程，主要是针对行动装置核心芯片所设计，今年第4季就可导入量产。28HPM制程采用的是台积电第1代HKMG技术，可以让芯片运算频率达到1.8GHz，核心电压也仅有0.9伏特。
但值得注意之处，在于三星及全球晶圆采用的28纳米是基于前闸极（gate-first）技术，与台积电28纳米HKMG制程采用的后闸极（gate-last）不同。对上游客户来说，同一颗产品进行2种不同技术的设计，成本太高，所以现在面临的是要如何选择出最佳的晶圆代工伙伴。
设备业者指出，台积电、三星及全球晶圆等两大阵营，28纳米采用的闸极技术不同，上游客户得在芯片设计时，就决定要下单台积电，或是下单三星或全球晶圆。也就是说，28纳米的订单流向，将会是赢者全拿的情况。以今年底为止的28纳米ARM处理器新芯片设计定案（tape-out）情况来看，台积电现在位居领先地位，这可能是迫使三星及全球晶圆携手合作的原因之一。
三星及全球晶圆希望能争取到更多智能型手机或平板计算机等核心芯片订单，特别是争取苹果A6或高通Snapdragon等ARM架构应用处理器代工订单，让台积电在扩展28纳米制程上，面临强大竞争压力。
事实上，包括三星、全球晶圆、IBM、意法半导体等4家半导体厂，去年中旬已宣布28纳米HKMG制程合作计划，并将旗下12吋厂制程进行同步，确保客户芯片设计能够在3个国家的多座晶圆厂内灵活生产，无需重新设计。
三星及全球晶圆此次推出的28纳米高性能低漏电制程（28nmLPH），主要锁定行动装置核心芯片市场，同样也采取晶圆厂同步计划，包括全球晶圆的德国德勒斯登（Dresden）Fab1、美国纽约Fab8，三星的韩国器兴S1、美国德州S2等4座12吋厂等，让客户自由选择投片地点，同时也能提高晶圆厂的整体利用率。
台积电先前已宣布推出代号为28HPM的28纳米新制程，主要是针对行动装置核心芯片所设计，今年第4季就可导入量产。28HPM制程采用的是台积电第1代HKMG技术，可以让芯片运算频率达到1.8GHz，核心电压也仅有0.9伏特。
但值得注意之处，在于三星及全球晶圆采用的28纳米是基于前闸极（gate-first）技术，与台积电28纳米HKMG制程采用的后闸极（gate-last）不同。对上游客户来说，同一颗产品进行2种不同技术的设计，成本太高，所以现在面临的是要如何选择出最佳的晶圆代工伙伴。
设备业者指出，台积电、三星及全球晶圆等两大阵营，28纳米采用的闸极技术不同，上游客户得在芯片设计时，就决定要下单台积电，或是下单三星或全球晶圆。也就是说，28纳米的订单流向，将会是赢者全拿的情况。以今年底为止的28纳米ARM处理器新芯片设计定案（tape-out）情况来看，台积电现在位居领先地位，这可能是迫使三星及全球晶圆携手合作的原因之一。
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