东芝开拓功率半导体市场 期抢下全球市占宝座
时间：2011-08-12 11:27:48
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[导读]东芝半导体与存储器社(ToshibaSemiconductor&StorageProducts)社长小林清治在10日的事业说明会上，宣布今后将在功率半导体事业投入更多资源，预计数年内要抢下全球市占率第1名王位。目前该公司功率半导体市占率为业界
东芝半导体与存储器社(ToshibaSemiconductor&StorageProducts)社长小林清治在10日的事业说明会上，宣布今后将在功率半导体事业投入更多资源，预计数年内要抢下全球市占率第1名王位。目前该公司功率半导体市占率为业界第3。
东芝的第1个动作，就是引进新的元件结构，以打造高效能产品。例如在高耐压MOSFET方面，东芝将利用单磊晶(singleepi)构造的超接面(Super-junction)技术，可降低漏电电流，借此获得更高的电源效率。而为因应高频元件需求，导入碳化矽(SiC)及氮化镓(GaN)等新材料的功率半导体也正在开发当中。
小林表示，东芝的策略是以最少额的设备投资，达到最大生产效率，因此决定把四日市工厂的8吋晶圆生产线制造设备调度到加贺工厂，挪作生产功率半导体之用。设备重新分配之后，8吋晶圆产量至2013年将达到全部功率半导体产量的80%。另一方面，加贺工厂生产线会预估2012年前就会达到满载，东芝会视必要性决定是否再建新厂房。
关于其他降低成本的具体对策，东芝表示，由于功率半导体的封装测试成本偏高，占整体生产过程费用40%，故提高委外代工比重将是基本方针，2012年的委外比例预计?升芠ㄥq的80%，到2013年则会来到90%。
此外，东芝将原本制造系统单晶片(SoC)的大分工厂重新定位，转为生产CMOS。特别是为平板电脑及智慧型手机设计的背照式(BackSideIlluminated；BSI)CMOS感光元件，具有高感度与高速度之特色，未来将成为大分工厂的主要生产品项。
东芝还打算针对获利率较低的系统大规模集成电路(LSI)进行瘦身，2010年东芝把50%产量下放给三星电子(SamsungElectronics)，这个比例至2013年预计会扩大到80%以上。
东芝的第1个动作，就是引进新的元件结构，以打造高效能产品。例如在高耐压MOSFET方面，东芝将利用单磊晶(singleepi)构造的超接面(Super-junction)技术，可降低漏电电流，借此获得更高的电源效率。而为因应高频元件需求，导入碳化矽(SiC)及氮化镓(GaN)等新材料的功率半导体也正在开发当中。
小林表示，东芝的策略是以最少额的设备投资，达到最大生产效率，因此决定把四日市工厂的8吋晶圆生产线制造设备调度到加贺工厂，挪作生产功率半导体之用。设备重新分配之后，8吋晶圆产量至2013年将达到全部功率半导体产量的80%。另一方面，加贺工厂生产线会预估2012年前就会达到满载，东芝会视必要性决定是否再建新厂房。
关于其他降低成本的具体对策，东芝表示，由于功率半导体的封装测试成本偏高，占整体生产过程费用40%，故提高委外代工比重将是基本方针，2012年的委外比例预计?升芠ㄥq的80%，到2013年则会来到90%。
此外，东芝将原本制造系统单晶片(SoC)的大分工厂重新定位，转为生产CMOS。特别是为平板电脑及智慧型手机设计的背照式(BackSideIlluminated；BSI)CMOS感光元件，具有高感度与高速度之特色，未来将成为大分工厂的主要生产品项。
东芝还打算针对获利率较低的系统大规模集成电路(LSI)进行瘦身，2010年东芝把50%产量下放给三星电子(SamsungElectronics)，这个比例至2013年预计会扩大到80%以上。
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