尔必达宣布开始销售采用TSV技术制作的DDR3 DRAM样品芯片

时间：2011-06-29 10:59:00

关键字： DRAM 芯片 DDR3 尔必达

手机看文章

扫描二维码
随时随地手机看文章

[导读]日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术（TSV）制作的DDR3SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相当1GB容量），该

日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术（TSV）制作的DDR3SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相当1GB容量），该三维芯片中还集成了接口功能芯片。

尔必达公司自2004年起便开始研发TSV技术，当时他们是在获得日本政府主导的新能源及工业技术发展协会（NewEnergyandIndustrialTechnologyDevelopmentOrganization(NEDO)）资金支援的条件下开始有关技术的研发的。尔必达公司随后便一直在继续进行有关的技术开发工作。公司还宣称早在09年，尔必达便已经成功研发出了业内首款基于TSV技术以及1GbDDR3SGRAM的产品。

至于笔记本产品上的应用方面，尔必达则认为这次宣布销售的样品芯片相比传统笔记本用SODIMM内存更加省电，产品的工作电压下降了20%，待机能耗降低了50%，而且芯片封装后的面积也下降了70%。