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[导读]据南韩电子新闻报导,三星电子(SamsungElectronics)已完成3D芯片生产系统的建构,正准备投入量产。近来英特尔(Intel)宣告领先全球开发出3D芯片,三星也表示持有相当数量的相关技术,且已确保量产技术。业界专家认为,

据南韩电子新闻报导,三星电子(SamsungElectronics)已完成3D芯片生产系统的建构,正准备投入量产。近来英特尔(Intel)宣告领先全球开发出3D芯片,三星也表示持有相当数量的相关技术,且已确保量产技术。

业界专家认为,在行动应用处理器(AP)市场上初崭露头角的三星,透过引进英特尔3D技术,为进入市场已筹备一段时间。据南韩相关业者表示,三星系统LSI事业部不只确保多项3D芯片制程技术,也已完成量产系统架构,目前正在讨论何时投入量产。

三星投入量产的时程,可能与英特尔使用3D芯片技术制作IvyBridge的生产时期相近。也就是说三星和英特尔间使用3D芯片制程技术生产芯片的竞争,将会在2011年内正式展开。

三星所持有的3D芯片制程技术与英特尔所发表的3D芯片技术「tri-gate」,虽然基本理论相同,但形态完全相异,因此未来应不会发生专利侵权相关问题。

外电指出,三星自2006年起将3D芯片技术应用在50奈米1GbDRAM,比英特尔更早掌握以3D立体结构生产芯片的诀窍。3D制程技术可应用在20奈米半导体,行动应用处理器的微细制程竞争势必也将越演越烈。

南韩业界专家表示,虽然与生产内存芯片有很大差异,但使用3D技数量产基本上是相同的,因此三星系统LSI事业部在生产3D芯片上应不会遇到太大困难,而最重要的产品性能就必须待产品上市后,才能进行观察。

三星相关人员表示,三星已确保3D芯片制程技术,但目前的行动应用处理器产品已可充分满足客户要求的水平,认为没有立即量产的必要性,将持续观察适合投入量产时机。

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