东芝-Sandisk叫板英特尔-美光 推出19纳米工艺NAND闪存
时间：2011-04-25 10:37:54
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[导读]近日英特尔和美光发表联合声明推出了采用20nm制造工艺的NAND闪存芯片产品，不过就在英特尔和美光发布新工艺的NAND闪存没几天之后Sandisk和东芝就联合宣布19nm制造工艺的NAND闪存已经诞生，这两家公司在日本的芯片制造
近日英特尔和美光发表联合声明推出了采用20nm制造工艺的NAND闪存芯片产品，不过就在英特尔和美光发布新工艺的NAND闪存没几天之后Sandisk和东芝就联合宣布19nm制造工艺的NAND闪存已经诞生，这两家公司在日本的芯片制造公司将负责新NAND闪存的应用以及推广。
之前分析人士认为Sandisk和东芝会在今年年底之前推出1xnm级别的NAND闪存芯片，但是就在英特尔和美光刚刚发布了20nm制造工艺的NAND闪存芯片之后Sandisk和东芝就以最快的速度为我们带来了19nm制造工艺的NAND闪存产品。
该消息称Sandisk与东芝开发的19nm制程技术已经在全新的2位元型64Gb密度芯片产品上开始应用了，按照这样的情况来看19nm制程技术制造的芯片容量可以达到8GB的标准，而未来Sandisk和东芝还计划将19nm制造工艺的技术应用在3位元型闪存产品上。
东芝方面透露由两家公司将位于日本横滨的300mm规格Fab4工厂将采用19nm制程进行NAND闪存芯片制造，目前两家公司在横滨的生产基地内一共有4家制造工厂。东芝去年开始了全新的Fab5工厂的建设工作，该工厂同样为300mm标准规格，预计近期将会竣工。东芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片样品将于本月底对外供应，而第三季度将会实现量产。
由于19nm制造工艺将闪存的尺寸进一步缩小，因此东芝能够将16片64Gbit密度的NAND闪存芯片安装在同一个封装单位内，这样128GB容量的闪存芯片单元就能够开始应用，对于智能手机和平板电脑来说128GB容量时代即将到来。
之前分析人士认为Sandisk和东芝会在今年年底之前推出1xnm级别的NAND闪存芯片，但是就在英特尔和美光刚刚发布了20nm制造工艺的NAND闪存芯片之后Sandisk和东芝就以最快的速度为我们带来了19nm制造工艺的NAND闪存产品。
该消息称Sandisk与东芝开发的19nm制程技术已经在全新的2位元型64Gb密度芯片产品上开始应用了，按照这样的情况来看19nm制程技术制造的芯片容量可以达到8GB的标准，而未来Sandisk和东芝还计划将19nm制造工艺的技术应用在3位元型闪存产品上。
东芝方面透露由两家公司将位于日本横滨的300mm规格Fab4工厂将采用19nm制程进行NAND闪存芯片制造，目前两家公司在横滨的生产基地内一共有4家制造工厂。东芝去年开始了全新的Fab5工厂的建设工作，该工厂同样为300mm标准规格，预计近期将会竣工。东芝方面采用19nm制程制作的2位元型64Gbit密度NAND芯片样品将于本月底对外供应，而第三季度将会实现量产。
由于19nm制造工艺将闪存的尺寸进一步缩小，因此东芝能够将16片64Gbit密度的NAND闪存芯片安装在同一个封装单位内，这样128GB容量的闪存芯片单元就能够开始应用，对于智能手机和平板电脑来说128GB容量时代即将到来。
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