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[导读]2011年全球DRAM会发生什么?下面是由BarclaysCapital的CJMuse在汇总了各种资料之后给出的DRAM五大趋势;1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年,而不是DRAM。当平板电脑开始蚕食它的同伴,笔记本与上网本时未来市场会发生

2011年全球DRAM会发生什么?下面是由BarclaysCapital的CJMuse在汇总了各种资料之后给出的DRAM五大趋势;

1.DownonDRAM下行

2011可能是NAND年,而不是DRAM。当平板电脑开始蚕食它的同伴,笔记本与上网本时未来市场会发生什么?在此情况下,过去每台笔记本电脑使用2Gb的存储器,将被仅使用256Mb,它的1/8的容量的平板电脑所替代,因此DRAM在2011年可能要过载啦。

2.Goingto3x-nmnode采用3xnm工艺

总体上全球DRAM制造商都将迈入3xnm工艺,三星与海力士走在前列,然而尔必达也试图由65nm或者65xS(65nm缩小版)跨入3xnm,为了降低成本。

3.Koreanduopoly韩国两家垄断

从DRAM市场看,与NAND不同,有多家竞争者共存,但是将呈现韩国两家垄断的局面。目前应该说仅是三星与海力士能称得上是第一阵容,因为它们的技术先进,而Micron,Nanya,Inotera(明显的技术滞后,财务不佳)只能称之为第二阵容。而Elpida,Powerchip,Rexchip,尽管也是落后,但明显有翻本的决心。

三星采用30nm技术制造DRAM,必须要购买的NXT光刻机(浸入式),这也是三星站在首位要付出的代价。今年三星非常成功在Q3已将DRAM的市场份额扩大至40%,让竞争对手望尘莫及。全球DRAM的位增长率可达45-50%,而三星可能增长过70%。

海力士仅在三星之后,站在第一阵容中。它的问题是由于它的结构导致债务高悬,期望2011年能园满解决。海力士在韩国的M10及无锡产出的DRAM会采用4x及3xnm工艺,明年它将由8F2迈入6F2架构。

4.ToughtimesforMicroncampMicron阵营艰难

目前Micron还是可以算作在DRAM第一阵容中,实际上它从2009年开始表现好己经有一阵子。但是它要从成熟的Trench技术过渡到stackDRAM,电容器的尺寸要改变。在2010年初它的启步是成功的,也拿到订单,但是由于成品率不理想,导致位产能增长只能在低水平。

由trench向stack工艺过渡,对于Micron及它的台湾合作伙伴不太容易平滑过渡,目前Nanya,Inotera正为50nm的成品率提升而努力,因此向40nm及30nm过渡是吃力的。但是也有好的消息,可能明年能够解决工艺问题,克服学习曲线这一关。由于Micron及它的合作伙伴Nanya,Inotera能在FormosaPlastics的财力支持下,所以明年它们有可能过渡到4xnm或者3xnm。同样Micron将把它在2011年的投资总计19亿美元中的2/3,用在NAND中。

5.Elpida'sgamble尔必达冒险

尔必达将尽一切可能返回到第一阵容中。首先台湾的资金/政府的拯救计划并未到位,但是Micron与Rexchip/Powerchip/ProMOS的合作继续存在。现在尔必达是希望在日本与台湾两地都增加投资。除此之外,在技术层面,尔必达正采用65nmXS,一种65nm的缩小版技术在DRAM中获得利润,显然只要价格下降不要过快。除此之外,尔必达也期望尽快跨入4xnm及3xnm中。

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