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[导读]美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大跃进,已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座,在扩产速度上,美光在2011年也不会缺席,与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产,对于三星电

美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大跃进,已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座,在扩产速度上,美光在2011年也不会缺席,与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产,对于三星电子(SamsungElectronics)和东芝(Toshiba)2011年也有扩产计画,美光表示不担心供过于求,在产能增加的同时,平板计算机等应用也大幅崛起,预计2011年NANDFlash市场供需可维持健康的状态。

美光近来年陆续在34奈米和25奈米技术世代上,都接连领先三星和东芝,在全球NANDFlash技术地位上大幅提升,加上与英特尔合资建厂,也使得全球NANDFlash市占率增加,2010年第3季达10%。

展望2011年NANDFlash市场概况,三星和东芝都有扩产的计画,三星兴建的Line-16新厂房预计将以NANDFlash产品为主,东芝与快闪记忆卡龙头大厂新帝(SanDisk)合资兴建的Fab5,也预计在2011年投产。

面对三星和东芝对于扩产NANDFlash产能来势汹汹,美光在新加坡的新厂也将于2011年加入投产,预计此厂房的产能规模约10万片,预计2011年底前先完成50%机器设备装置。

面对2011年NANDFlash产能大幅增加,美光表示,其实在终端应用上,也同步在往上,包括平板计算机、固态硬碟(SSD)、智能型手机等对于NANDFlash需求量都大增,预期2011年的NANDFlash市场供需将是健康稳定成长。

再者,美光除了制程技术持续领先外,美光在产品技术上,也一直紧抓市场脉动包括eMMC解决方案之外,也领先推出ClearNAND产品,将ECC除错机制(ErrorCorrectingCode)功能包裹在芯片之内,预计未来可抢占平板计算机商机。

面对NANDFlash技术在25奈米以下离瓶颈期越来越近,美光也持续开发下世代快闪存储器技术,在购并恒忆(Numonyx)之后,也获得相变化存储器(Phase-ChangeMemory;PCM)技术和专利,美光看好PCM可以取代NANDFlash和DRAM技术,这会是美光未来布局的重点之一。

再者,美光指出,新存储器技术包括CrossPointMemory和3D技术等,也都是未来布局的一环。


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