下半年设备与良率问题将导致DRAM短缺

据iSuppli公司，强劲增长的DRAM市场可能在下半年遇到麻烦，由于制造设备供应有限和制程变化方面的挑战，可能会出现供不应求的局面。

DRAM供需形势变化无常。预计2010年DRAM出货量相当于1,590万个1Gb器件，比去年的1,070万个增长48.6%。今年的多数增长将发生在下半年，最后两个季度的比特出货量环比增长率都将达到11%左右。相比之下，2010年前两个季度增长率都远低于10%。

这么高的增长水平集中在六个月之内，将使DRAM供应的产能面临压力。

下图所示为2009和2010年各季度的DRAM出货量情况，虚线显示的是每个季度的比特出货量增长情况。

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DRAMbitshipmentforecast2009-2010,inmillionsof1Gbit-equivalentunits.(Source:iSuppli)

设备与良率问题可能颇具挑战性

有两个问题可能影响下半年DRAM供应，并导致今年余下时间出现供应不足局面。一个问题是制造设备的供应瓶颈，另一个问题是沉浸良率问题，都可能影响供应。

全球最大的半导体光刻设备供应商ASMLHoldingN.V.无力供应充足的设备，所以DRAM总体产量仍然是一个问题。iSuppli公司认为，虽然ASML今年似乎能够额外提供33台沉浸式扫描仪，但也不足以解决上述瓶颈问题。

第二个问题可能更加严重，与50纳米以下制程的良率有关，可能影响DRAM供应。小于50纳米，就必须使用沉浸设备。诚然，DRAM产业中的大型厂商，如韩国三星电子和海力士半导体，以及美国美光，都凭借雄厚的资源和生产NAND闪存的经验，成功地过渡到了尺寸更小的光刻技术。NAND闪存在光刻技术方面领先于DRAM。但是，对于资源有限的厂商，或者目前正在开始向更小制程转移的厂商来说，制程变化所带来的困难可能导致其总体产量下降，从而影响DRAM产业的总体比特出货量增长。

日本DRAM供应商尔必达就处于制程变迁之中。第二季度，尔必达预计从6X纳米转向45纳米，这在光刻技术方面是一大跳跃，将带来良率问题。iSuppli公司认为，如果尔必达及其伙伴RexchipElectronicsCorp.意外遇到良率问题，这两家公司的比特出货量都可能受到重大影响。

进而，可能在今年剩余时间内冲击全球比特出货量增长。因此，预计2010年总体比特出货量增长率比预期低2-4个百分点，导致预期年度增长率最低可能从49%降至45%。

最终，比特出货量增长率下降可能意味着价格上涨。在这种情况下，真正的赢家将是已经跳过沉浸光刻障碍的厂商：三星和美光这样的产业巨头。由于它们供应稳定，价格上涨只会进一步提高其利润。