ST采用矽穿孔技术实现更精巧的智慧化MEMS晶片

意法半导体(STMicroelectronics，ST)率先将矽穿孔技术(Through-Silicon Via，TSV)导入 MEMS 晶片量产。在意法半导体的多晶片 MEMS 产品(如智慧型感测器和多轴惯性模组)中，矽穿孔技术以短式垂直互连方式(short vertical interconnect)取代传统的晶片连接，在尺寸更小的产品内实现更高的整合度和性能。
矽穿孔技术透过短式垂直结构连接同一个封装内堆叠放置的多颗晶片，相较于传统的打线接合(wire bonding)或覆晶堆叠(flip chip stacking)技术，矽穿孔技术拥有更高的空间使用效率和互连密度。意法半导体已取得矽穿孔技术专利，并将其用于大规模量产制造产品，此项技术有助于缩减 MEMS 晶片尺寸，同时可提高产品的稳定性和性能。

在大规模量产制造 MEMS 感测器和致动器方面，意法半导体成功研发出尺寸小巧、测量精确且价格实惠的动作感测器，并带动消费性电子 MEMS 技术创新。截至今日，意法半导体的 MEMS 晶片出货量已超过16亿颗，主要用于消费性电子、电脑、汽车产品、工业控制以及医疗保健领域。