联电成功产出CMOS-MEMS感测晶片

联电(2303)今(19)日宣布成功产出微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）感测晶片，预计于今年进入量产，投入约3年的CMOS-MEMS技术的研发，终于开花结果。

联电表示，使用该款CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已经完成功能验证，讯噪比(S/N ratio) 已可达到56dBA 以上之水准，预计将于今年上半年提供工程样品，接著便能进入量产。此外，CMOS-MEMS加速度计的产品开发也己符合消费性电子产品之应用规格(1g ~ 16g)，其功能也达量产的目标。

联电指出，除了已与多家客户合作开发各样的MEMS晶片和高度整合的CMOS-MEMS产品，扩展微机电感测器于生活或环境监测之高阶应用之外，也以自身多样性的CMOS制程技术，提供微机电专用ASIC晶片之专工服务，以支援各种微机电应用。

而面对MEMS感测器应用的日益普及，CMOS-MEMS专工服务需求也急速增加。联电表示，未来将开放此CMOS-MEMS技术，提供产业及学术界做为新元件的开发。