宜特抢进 3D IC检测

电子产品验证服务商宜特（3289）与子公司上海宜硕，获选进入IEEE等级、半导体故障分析领域的集成电路失效分析论坛IPFA 2013发表研究成果。宜特此次将以IC质量为主轴，分别探讨「3DIC微凸块失效观察」、「IC电磁辐射消除」、「EOS 脉冲波过电保护」等三方面的检测能力，并将届此抢进3D IC检测市场。

在3DIC 方面，宜特研究出两种克服的方式，其一是利用研磨技术将3D IC微凸块（u-bump）失效区域定位，并搭配聚焦离子束显微镜（FIB），将其失效微凸块切削进行断面观察；其二是扩大可观察的微凸块范围，从100um提升至3000um，此两项技术亦可使用在3D IC的直通矽晶穿孔（TSV）结构观察。

在IC电磁辐射消除的研究上，宜特藉由传统与专利研发的新型FIB搭配，将任意电容值的电容放置于IC芯片上，并与IC内部的讯号节点作连结。藉此方法，客户不需重新投片，即可找到电磁辐射源头并加以消除，提供IC设计者一种CP值极高的IC EMI解决方案。

在EOS 脉冲波过电保护部份，宜特藉由脉冲波模拟不同制程的IC上电，从其产生的过度电性应力（EOS）机制进行研究，在这当中，发现EOS耐受能力与脉冲时间存在「线性关系」，同时也发现IC制程本身闸氧崩溃与电压有关。从此测试，亦可提供客户简易方式，来对元件进行抗受力测试，亦可对于元件过电保护，提供一个有效参考指标。