挥军高阶封测 台封测厂着力深

封测大厂日月光(2311)、矽品(2325)、南茂(8150)和力成(6239)，今年积极布局高阶封装技术，准备在下一阶段晶片微型化整合的封装版图中卡位成功。

在四方形平面无引脚(QFN)领域，日月光和矽品仍保持领先地位，朝向多排QFN(Multi row QFN)发展，联发科(2454)手机晶片采用日月光aQFN封装技术；矽品今年也积极计划量产强化型QFN(eQFN)封装技术。

在覆晶封装(Flip Chip)部分，覆晶封装的植凸块技术讲究更小凸块间距和无铅环保，正从锡球凸块朝向铜柱凸块(Copper Pillar)演进。日月光和矽品今年持续投资覆晶封装机台，星科金朋和力成也表态参与，南茂也正积极布局。

矽品今年计划量产铜柱凸块整合晶片尺寸覆晶封装(FC-CSP)产品；力成预计今年7月或8月完工的湖口新厂，也将量产铜柱凸块产品；南茂今年计划充分利用 8寸晶圆产能生产铜柱凸块。

在类比、电源管理、射频晶片、LED驱动IC等广泛应用的晶圆级封装(Wafer Level Package)技术，日月光、矽品、星科金朋早就积极卡位，南茂和力成也急起直追。

日月光目前正在积极扩充扇出型晶圆级封装(FOWLP，Fan-out Wafer Level Package)产能，合作对象主要是英特尔(Intel)的基频通讯晶片；星科金朋宣示进一步扩大在台晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)产能，预估年产能可达6万片；力成也逐步进军WLCSP，预计在今年上半年从实验室小量生产，2013年开始量产。

南茂也计划在今年扩大投资12寸晶圆级晶片尺寸封装生产线，1成多资本支出会放在WLCSP植球机和多晶片封测设备，12寸WLCSP封测产线分工也已确立；南茂负责晶圆布线和封装，子公司泰林(5466)负责测试业务。

至于在矽穿孔(TSV)3D IC封装领域，日月光正在与美系手机应用处理器厂商合作开发3D IC产品，在2.5D IC矽中介层封装领域，日月光也和这家美系大厂合作开发相关手机晶片产品，预计今年下半年可进入量产阶段。

力成则采取绕过2.5D IC过渡阶段、直接切入3D IC的策略，力成3D IC新厂预计今年第3季完工，目前力成已经和4家国外手机应用处理器大厂合作，可望在2013年交货首批采用3D IC封装的手机应用处理器产品。

矽品采取直接进军 3D IC策略，正与欧美客户合作开发采用28奈米制程的手机通讯晶片产品，以及PC微处理器产品，预计在2013年进入量产阶段。