TI创新的3D封装技术将显著提升电源管理器件性能

日前，德州仪器(TI)宣布PowerStack封装技术产品出货量已突破3000万套，该技术可为电源管理器件显著提高性能，降低功耗，并改进芯片密度。

TI模拟封装部Matt Romig指出：“为实现宽带移动视频与4G通信等更多内容，计算应用的性能需求不断提升。与此同时，也出现了电信与计算设备的小型化需求。通过从2D到3D集成的真正革命，PowerStack可帮助TI客户充分满足这些需求。”

PowerStack技术的优势是通过创新型封装方法实现的，即在接地引脚框架上堆栈TI NexFETTM功率MOSFET，并采用两个铜弹片连接输入输出电压引脚。这种堆栈与弹片焊接的独特组合可实现更高集成的无引线四方扁平封装(QFN)解决方案。

通过PowerStack技术堆栈MOSFET，最明显的优势是可使封装尺寸比并排排列MOSFET的其它解决方案锐减达50%。除降低板级空间之外，PowerStack封装技术还可为电源管理器件提供优异的热性能、更高的电流性能与效率。


PowerStack的堆垛与弹片焊接技术的结合提供了超越传统并排分立MOSFET的显着效益

TechSearch国际创始人兼总裁Jan Vardaman表示：“PowerStack是我在电源市场所见过的首项具有如此强大功能的封装技术，3D封装解决方案的势头在不断加强，该技术将是解决各种当前及新一代设计挑战的理想选择。”

PowerStack现已在TI Clark厂投入量产。

TI菲律宾公司总经理Bing Viera指出：“Clark是我们位于菲律宾的、业界一流的最新封测厂。今年，我们将进一步提升Clark高级封装技术的产能，到第三季度该厂初期产能将提高近1倍