力成受汇损拖累　上季毛利率降至25.1%

胡皓婷／台北 记忆体封测大厂力成科技25日召开法说会，该公司董事长蔡笃恭表示，受惠于智慧型手机(Smartphone)和平板电脑(Tablet)的带动，Mobile DRAM需求十分强劲，第2季起将增温。针对2011年的规画，蔡笃恭表示，2011年总资本支出将达新台币100亿元，除扩产外，也将兴建3D IC的实验室以为后续储备成长动能，并预期整年度营收年增率将达10~15%。不过，2010年第4季的毛利率受到新台币强劲升值的拖累而降至25.1%，公司认为汇率问题仍是未来一大隐忧。

力成2010年第4季受惠于NAND Flash及Mobile DRAM需求强劲的带动，单季合并营收突破新台币100亿元大关，达100.57亿元，季增2.2%。

不过，因新台币升值的干扰，使得公司单季毛利率从上季的28%下滑至25.1%。整体2010年来看，力成营运成绩亮眼，每股纯益为新台币10.53元，赚进1个资本额以上。

针对2011年第1季来看，蔡笃恭指出，除汇率变动外，目前各家DRAM厂均将产能转进DDR3 2Gb，而尔必达于2010年第4季进行减产，减少DDR3 1Gb的产能，预期实际产出将在第1季开始减少，故紧接著DDR3 1Gb的供给可能会出现吃紧。

另外，在NAND Flash部分，东芝日前发生跳电事件，已影响产能，! 1月时相关订单便见减少。再加上，平均产品价格(ASP)也将下降3%，故预= 公司第1季业绩将较2010年第4季下滑3%。

不过，因Mobile DRAM市场需求依然强劲，且客户在40奈米2Gb的DRAM产品良率已提升至9成以上，至第2季时Mobile DRAM需求增温，第2季需求将较第1季倍增，挹注营收。

蔡笃恭表示，公司在第1季也将新增记忆体及逻辑产品客户。其中，NAND Flash部分的新进客户，1个月约会增加1,000万颗的订单；而美系逻辑产品客户已进入小量生产阶段。

展望2011年布局，蔡笃恭指出，因应客户产品转换，力成2011年资本支出将达100亿元，其中，为因应Mobile DRAM市场需求，约20亿元用以扩充行动记忆体封装及测试产能。

另外，力成把10亿元用以建置3D IC实验室，预计3月底破土，4月引进第1期设备，至2012年中投入量产，相较效应将于2012~2015年间实现。